特許
J-GLOBAL ID：200903095589385507
半導体容器
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松浦 兼行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-211071
公開番号（公開出願番号）：特開平10-056092
出願日： 1996年08月09日
公開日（公表日）： 1998年02月24日
要約：
【要約】【課題】 熱応力により電子回路部品や基板にクラックが入ることがある。また、放熱板裏面に反りが生じたり、ワイヤボンディングの自動化が困難である。【解決手段】 半導体容器は、Cu材による放熱板4の上にチップ台座7と基板台座8とを設け、チップ台座7の上に半導体チップ1をマウントし、基板台座8の上にインピーダンス整合回路基板2等をマウントする構成とされている。チップ台座7はGaAs材による半導体チップ1とほぼ同等の熱膨張率を持つ材料、例えばCuW材により構成されている。また、基板台座8は、セラミック材によるインピーダンス整合回路基板2とほぼ同等の熱膨張率を持つ、Mo材、CuW材等により構成されている。チップ台座7及び基板台座8の各厚さは、それらの上にマウントされる半導体チップ1、インピーダンス整合回路基板2等の有するボンディングパッド面が同一平面となるように、個々に設定される。
請求項（抜粋）：
放熱板上に台座を介して半導体回路を構成する回路部品及び基板をマウントすると共に、前記半導体回路を囲む側壁部を前記放熱板上に設けた構成の半導体容器において、前記台座を、前記回路部品及び基板のうち熱膨張率の異なる回路部品及び基板毎に専用に設け、かつ、マウントする回路部品又は基板の熱膨張率と近似した熱膨張率の材料で構成したことを特徴とする半導体容器。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 23/04 F
, H01L 23/12 J
