特許
J-GLOBAL ID:200903095589998835

ガス整流機構

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 菅野 中
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-107877
公開番号(公開出願番号):特開平11-307454
出願日: 1998年04月17日
公開日(公表日): 1999年11月05日
要約:
【要約】【課題】 半導体基板が設置される処理室内への処理ガスを容易に制御するガス整流機構を提供する。【解決手段】 ガス整流板6,7は、処理室5の対向するガス導入口3と上部電極8との間に少なくとも2以上相対的に転回可能に設置し、ガス整流板6,7は、相対的な回転角により処理室5への処理ガスの流量を制御する。
請求項(抜粋):
ガス整流板を有し、半導体基板が設置される処理室内への処理ガスを制御するガス整流機構であって、前記ガス整流板は、前記処理室の対向するガス導入口と上部電極との間に少なくとも2以上相対的に回転可能に設置されたものであり、該ガス整流板は、相対的な回転角により前記処理室への処理ガスの流量を制御するものであることを特徴とするガス整流機構。
IPC (3件):
H01L 21/205 ,  C23C 14/24 ,  H01L 21/22 511
FI (3件):
H01L 21/205 ,  C23C 14/24 M ,  H01L 21/22 511 S
引用特許:
審査官引用 (2件)
  • プラズマ装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平3-286329   出願人:東京エレクトロン山梨株式会社
  • プラズマ処理装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平6-197525   出願人:新日本製鐵株式会社

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