特許
J-GLOBAL ID：200903095591921033
高強度誘電体スパッタリングターゲットおよびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-131736
公開番号（公開出願番号）：特開平9-316630
出願日： 1996年05月27日
公開日（公表日）： 1997年12月09日
要約：
【要約】【課題】高強度誘電体スパッタリングターゲットおよびその製造方法。【解決手段】 酸素欠陥のある一般式Ba<SB>1-x</SB> Sr<SB>x</SB> TiO<SB>3-y </SB>(0<x<1、0<y≦0.03)で表される焼結体スパッタリングターゲットにおいて、該焼結体の平均粒子径が0.3〜5μmで、最大粒子径が20μm以下で、相対密度が95%〜99%で、純度4N以上である高強度誘電体スパッタリングターゲットと必要に応じて微量不純物のうち、Kが1ppm以下、Naが2ppm以下、Alが5ppm以下、Siが20ppm以下、Feが2ppm以下である高強度誘電体スパッタリングターゲットとさらに必要に応じて焼結温度1100°C〜1300°C、焼結時間1hr〜10hr、圧力10MPa〜50MPa、真空または不活性雰囲気ガス中でホットプレスする高強度誘電体スパッタリングターゲットの製造方法。
請求項（抜粋）：
酸素欠陥のある一般式Ba<SB>1-x</SB> Sr<SB>x</SB> TiO<SB>3-y </SB>(0<x<1、0<y≦0.03)で表される焼結体スパッタリングターゲットにおいて、該焼結体の平均粒子径が0.3〜5μmで、最大粒子径が20μm以下で、相対密度が95%〜99%で、純度4N以上であることを特徴とする高強度誘電体スパッタリングターゲット。
IPC (7件)：
C23C 14/34
, C04B 35/46
, C23C 14/08
, H01L 21/203
, H01L 21/314
, H01L 27/108
, H01L 21/8242
C23C 14/34 A
, C23C 14/08 K
, H01L 21/203 S
, H01L 21/314 A
, C04B 35/46 D
, H01L 27/10 651
