エピタキシャルシリコン基板の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：波多野久 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-122891
公開番号（公開出願番号）：特開2000-315656
出願日： 1999年04月28日
公開日（公表日）： 2000年11月14日
要約：

【要約】【課題】安価でエピ層面内に安定したエピ層電気抵抗率分布が得られるエピタキシャルシリコン基板の製造方法を提供する。【解決手段】ヘビードーパントシリコン基板1の裏面1rに多結晶シリコンPsを蒸発させてシリコン膜Pを形成する方法において、シリコン膜P形成時、基板1の曲率半径rが常にサセプタ4のザグリ5の曲率半径Rよりも大きくなるような関係を有する基板1とサセプタ4を用いるエピタキシャルシリコン基板の製造方法。

請求項（抜粋）：

高濃度不純物を含有するシリコン単結晶基板を用意し、このシリコン単結晶基板を予め多結晶シリコンが堆積されたサセプタのザグリに収納してサセプタに載置し、このサセプタを加熱して多結晶シリコンを蒸発させてサセプタに面するシリコン単結晶基板の裏面にシリコン膜を形成する工程と、このシリコン膜形成工程と同時またはこの工程終了後にエピタキシャル成長により、前記シリコン単結晶基板よりも低濃度の不純物を含有するシリコン単結のエピタキシャル層を前記シリコン単結晶基板の表面に形成する工程を有し、前記シリコン膜形成工程において、シリコン単結晶基板の曲率半径が常にサセプタのザグリの曲率半径よりも大きくなるような関係を有するシリコン単結晶基板とサセプタを用いることを特徴とするエピタキシャルシリコン基板の製造方法。

Fターム (10件)：

5F045AB02 , 5F045AB03 , 5F045AC03 , 5F045AF03 , 5F045AF11 , 5F045BB08 , 5F045DP15 , 5F045EK03 , 5F045EM02 , 5F045EM09

引用特許：

出願人引用 (3件)

サセプタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-310602 出願人：東芝セラミツクス株式会社
特開昭63-206392
エピタキシャル成長法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-337055 出願人：ローム株式会社

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