ハロゲンをドープした酸化珪素膜の膜安定性を改良する方法及び装置

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：中村稔 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-284992
公開番号（公開出願番号）：特開平9-167767
出願日： 1996年10月28日
公開日（公表日）： 1997年06月24日
要約：

【要約】【課題】湿気吸収及びドーパント原子の除気に対して抵抗性がある低い誘電率を有している絶縁層を形成する方法及び装置を提供する。【解決手段】低い誘電率を有しているフッ素をドープした珪酸塩ガラス(FSG)層及びそのような絶縁層を形成する方法が示されている。FSG層は、湿気吸収及びフッ素原子の除気に対して抵抗するようにするために層を後方処理段階で処理される。一実施例では、後方処理段階は、FSG層の上部の上に薄い、ドープされていない珪酸塩ガラス層を形成することを含み、かつ別の実施例では、FSG膜の安定性は、後方処理プラズマ段階によって増大される。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成された集積回路であって、(a)前記基板に形成された複数のアクティブ・デバイス;(b)前記基板の上に形成された少なくとも一つの金属層;及び(c)前記金属層と前記基板の間に形成された少なくとも一つの絶縁層;を備え、更に、前記基板の上でかつ前記少なくとも一つの絶縁層の下に形成される第2の金属層と、前記第2の金属層及び前記基板の間に形成される第2の絶縁層とを備え、前記第2の絶縁層は、前記第2の金属層の選択された部分を前記複数のアクティブ・デバイスの選択された領域に電気的に接続するために電導性材料で充填された第2の複数のパターン化されたホールを有していることを特徴とする集積回路。

IPC (3件)：

H01L 21/316 , H01L 21/31 , H01L 21/768

FI (3件)：

H01L 21/316 X , H01L 21/31 C , H01L 21/90 K

引用特許：

審査官引用 (3件)

半導体装置の層間絶縁膜形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-010043 出願人：ソニー株式会社
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-020086 出願人：富士通株式会社
成膜方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-210896 出願人：キヤノン販売株式会社, 株式会社半導体プロセス研究所

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