特許
J-GLOBAL ID：200903095660215898

半導体素子及びその製造方法

発明者：
井上 敦央

井上 敦央 について

, 
松本 信之

松本 信之 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (6件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-312959
公開番号（公開出願番号）：特開2004-152787
出願日： 2002年10月28日
公開日（公表日）： 2004年05月27日
要約：
【課題】電荷の効率的な生成と効率的な移動が可能で、変換効率や発光効率に優れており、しかも低コストで簡便に電子デバイスを製造するために有用な半導体素子を提供する【解決手段】半導体素子は第1の電極と、該第1の電極と電気的に接続されたナノチューブと、ナノチューブを埋設した半導体層と、該半導体層と電気的に接続され、かつ、前記ナノチューブと接していない第2の電極から構成される。前記ナノチューブは、第1の電極と接する支持層に植設され、第2の電極方向に配向するように半導体層に埋設される。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
第1の電極と、該第1の電極と電気的に接続されたナノチューブと、ナノチューブを埋設した半導体層と、該半導体層と電気的に接続され、かつ、前記ナノチューブと接していない第2の電極から構成されることを特徴とする半導体素子。
IPC (3件)：
H01L31/04 ,  H01L31/08 ,  H01L51/10
FI (2件)：
H01L31/04 D ,  H01L31/08 T
Fターム (16件)：
5F051AA11 ,  5F051CB24 ,  5F051CB27 ,  5F051CB30 ,  5F051FA02 ,  5F051FA06 ,  5F051GA03 ,  5F088AB11 ,  5F088BB02 ,  5F088BB05 ,  5F088CB11 ,  5F088CB15 ,  5F088CB20 ,  5F088FA04 ,  5F088FA05 ,  5F088GA02
引用特許：
審査官引用 (3件)

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