特許

J-GLOBAL ID：200903095681183228

フッ素分子レーザ装置

発明者： 武久 究 ,  後藤 達美
出願人/特許権者： 株式会社小松製作所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-337205
公開番号（公開出願番号）：特開2003-142758
出願日： 2001年11月01日
公開日（公表日）： 2003年05月16日
要約：

【要約】【課題】 スペクトル線幅の狭いフッ素分子レーザ装置を提供する。【解決手段】 フッ素を含むレーザガスを励起してレーザ光(21)を発振させるフッ素分子レーザ装置において、発振するレーザ光(11)の光軸と略同一方向に主放電(50)を行ない、フッ素を含むレーザガスを励起する主電極(14,15)と、前記主電極(14,15)間に挟持され、フッ素を含むレーザガスを注入する絶縁体(12)と、絶縁体を挟んで配置された共振器(16,18)とを備え、レーザガスの利得曲線(R)の半値全幅(Δλ)よりも、波長で表される縦モードの間隔(M(λ))が大きくなるようにしたことを、特徴とするフッ素分子レーザ装置。

請求項（抜粋）：

フッ素を含むレーザガスを励起してレーザ光(21)を発振させるフッ素分子レーザ装置において、レーザガスの利得曲線(R)の半値全幅(Δλ)よりも、波長で表される縦モードの間隔(M(λ))が大きくなるようにしたことを、特徴とするフッ素分子レーザ装置。

IPC (4件)：

H01S 3/05 ,  G03F 7/20 502 ,  H01L 21/027 ,  H01S 3/038

FI (4件)：

H01S 3/05 ,  G03F 7/20 502 ,  H01S 3/03 B ,  H01L 21/30 515 B

Fターム (19件)：

2H097CA13 ,  2H097GB00 ,  5F046CA03 ,  5F046CB02 ,  5F046CB22 ,  5F046DA01 ,  5F071AA04 ,  5F071CC01 ,  5F071CC03 ,  5F071CC05 ,  5F071EE02 ,  5F071EE04 ,  5F071JJ10 ,  5F072AA04 ,  5F072JJ13 ,  5F072KK02 ,  5F072PP10 ,  5F072RR00 ,  5F072YY09

引用特許：

審査官引用 (6件)

• 特開平1-192183
  
• 超狭帯域化フッ素レーザ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-190490   出願人：株式会社小松製作所
• 分子フッ素(F2)レーザおよびF2レーザの出力ビーム発生方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-033019   出願人：ラムダ・フィジーク・ゲゼルシャフト・ツァ・ヘルシュテルンク・フォン・ラーゼルン・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング
• 真空紫外レーザ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-035615   出願人：株式会社小松製作所
• 超狭帯域化フッ素レーザ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-169758   出願人：株式会社小松製作所
• 特開平1-192183
  

引用文献：

審査官引用 (2件)

• AN EMPIRICAL APPROXIMATION TO THE VOIGT PROFILE
• レーザ応用技術, 19711210, 4版, 39-44頁