特許
J-GLOBAL ID:200903095762990640

熱電モジュール

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 名古屋国際特許業務法人
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2007-039476
公開番号(公開出願番号):特開2008-205181
出願日: 2007年02月20日
公開日(公表日): 2008年09月04日
要約:
【課題】 薄膜の熱電材料を用いて容易にモジュール化することができる熱電モジュールを提供すること。 【解決手段】 熱電モジュール1は、N型熱電薄膜層3、絶縁薄膜層5、P型熱電薄膜層7が順次積層されるとともに、N型熱電薄膜層3とP型熱電薄膜7とが、電極薄膜層9により直列に接続されたものである。詳しくは、N型熱電薄膜層3、絶縁薄膜層5、P型熱電薄膜層7、電極薄膜層9は、気相成長プロセスによって作製された導電薄膜であり、N型熱電薄膜層3とP型熱電薄膜層7とは、その側端部にて電極薄膜層9により電気的に接続されている。【選択図】 図2
請求項(抜粋):
P型及びN型の熱電素子を直列に接続することにより形成される熱電モジュールにおいて、 気相成長プロセスによって作製された少なくとも一対のP型の熱電材料からなる熱電薄膜層及びN型の熱電材料からなる熱電薄膜層と、 前記P型及びN型の熱電薄膜層を、電気的に絶縁する絶縁薄膜層と、 前記絶縁薄膜層を介して隣接する1対のP型及びN型の熱電薄膜層の側端部に接触し、前記1対のP型及びN型の熱電薄膜層を、電気的に接続する電極薄膜層と、 を備えたことを特徴とする熱電モジュール。
IPC (4件):
H01L 35/32 ,  H01L 35/34 ,  H01L 35/14 ,  H02N 11/00
FI (4件):
H01L35/32 A ,  H01L35/34 ,  H01L35/14 ,  H02N11/00 A
引用特許:
出願人引用 (5件)
  • WO 00/30185
  • WO 2005/098970
  • 熱電変換素子およびその製造方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平7-264128   出願人:シャープ株式会社
全件表示

前のページに戻る