特許

J-GLOBAL ID：200903095785695964

スパッタ方法およびそのスパッタ装置

発明者： 太田 淳 ,  羽賀 日出明 ,  谷 典明 ,  鄒 紅▲こう▼ ,  小松 孝 ,  中村 久三 ,  桃野 健 ,  川村 裕明 ,  鈴木 郁生 ,  池田 智 ,  石川 道夫 ,  太田 賀文 ,  松本 昌弘
出願人/特許権者： 日本真空技術株式会社
代理人 (1件)： 北村 欣一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-017653
公開番号（公開出願番号）：特開平7-224379
出願日： 1994年02月14日
公開日（公表日）： 1995年08月22日
要約：

【要約】【目的】 反応ガス雰囲気中で直流スパッタ法により導電性ターゲットにスパッタリングを行っても高速成膜が可能であり、かつ、長時間スパッタリングを行っても異常放電のないスパッタ成膜が出来るスパッタ方法。【構成】 反応ガス雰囲気中で直流スパッタ法により導電性ターゲットにスパッタリングを行って基板上に薄膜を形成するスパッタ法において、負電位の導電性ターゲットに正電位を一定の周波数でパルス状に印加しながらスパッタリングする。

請求項（抜粋）：

反応ガス雰囲気中で直流スパッタ法により導電性ターゲットにスパッタリングを行って基板上に薄膜を形成するスパッタ法において、負電位の導電性ターゲットに正電位を周波数5〜400kHzでパルス状に印加しながらスパッタリングすることを特徴とするスパッタ方法。

引用特許：

審査官引用 (2件)

• スパッタリング装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-160151   出願人：旭硝子株式会社
• スパツタリング装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-336097   出願人：旭硝子株式会社