特許
J-GLOBAL ID：200903095852140980
半導体装置とその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
安富 耕二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-106519
公開番号（公開出願番号）：特開平11-307673
出願日： 1998年04月16日
公開日（公表日）： 1999年11月05日
要約：
【要約】【課題】 実装面積を縮小した小型のパッケージを得ると共に、実装時の半田の吸着による事故を回避した、半導体装置を提供する。【解決手段】 第1の絶縁基板11aの表面にアイランド部13とリード部14を形成し、スルーホール17、18と切り欠き部21を介して外部電極19、20と電気的に接続する。アイランド部13に半導体チップ12を搭載し、リード部14とワイヤボンドする。半導体チップ12上を樹脂層24で被覆し、ダイシングすることで第1と第2の絶縁基板11a、11bの外周端面26、27と樹脂層24の外周端面25とを連続した同一水平面とする。外周端面26付近からアイランド部12とリード部13の金メッキ層を後退させる。
請求項（抜粋）：
貼着して支持基板を形成する第1と第2の絶縁基板と、前記第1の絶縁基板の表面に導電体パターンによって形成したアイランド部、及びリード部と、前記アイランド部に搭載した半導体チップと、前記半導体チップの電極と前記リード部とを電気的に接続する手段と、前記第1の絶縁基板の上に設けられて前記半導体チップ及び前記アイランド部と前記リード部とを被覆する樹脂層と、前記第1の絶縁基板と第2の絶縁基板の間に設けた中間電極と、前記第2の絶縁基板の裏面側に形成され、前記アイランド部またはリード部と前記中間電極を介して電気的に接続された外部電極と、前記第2の絶縁基板の角部に設けられ、その表面に前記外部電極と連続する導電パターンが設けられた切り欠き部と、前記第1と第2の絶縁基板の外周端面と、前記樹脂層の外周端面とを具備し、前記第1と第2の絶縁基板の外周端面と前記樹脂層の外周端面とがほぼ一致し、前記アイランド部と前記リード部の導電体パターンが前記外周端面より内側に位置し、前記外周端面付近では前記第1の絶縁基板の素材と前記樹脂層とが密着していることを特徴とする半導体装置。
引用特許：
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