特許

J-GLOBAL ID：200903095941043972

強誘電体薄膜の構造及びその化学的気相成長法

発明者： 谷本 智
出願人/特許権者： 日産自動車株式会社
代理人 (1件)： 三好 秀和 (外8名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-009693
公開番号（公開出願番号）：特開2000-208715
出願日： 1999年01月18日
公開日（公表日）： 2000年07月28日
要約：

【要約】【課題】 本発明は、前置層をペロブスカイト単一相の結晶構造からなる強誘電体層として、強誘電体膜全体の厚さを例えば150nm以下程度に薄くしても、誘電率の低下及びリーク電流の増大を防止することを目的とする。【解決手段】 チタンジルコン酸鉛(PZT)系の強誘電体薄膜の構造52において、少なくともZr元素を含まない前置層53の組成が、主層54と同型のペロブスカイト型強誘電体の化学量論組成に等しいことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

少なくともZr元素を含まない前置層と、前記Zr元素を含み前記前置層よりも厚い主層とを、化学的気相成長法を用いて形成したチタンジルコン酸鉛(PZT)系の強誘電体薄膜の構造において、前記前置層の組成が、前記主層と同型のペロブスカイト型強誘電体の化学量論組成に等しいことを特徴とする強誘電体薄膜の構造。

IPC (6件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  C23C 16/40 ,  H01L 21/31 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (4件)：

H01L 27/04 C ,  C23C 16/40 ,  H01L 21/31 B ,  H01L 27/10 651

Fターム (31件)：

4K030AA11 ,  4K030AA14 ,  4K030BA01 ,  4K030BA22 ,  4K030BA42 ,  4K030BA46 ,  4K030BB13 ,  4K030EA01 ,  4K030FA10 ,  4K030JA12 ,  4K030LA01 ,  4K030LA15 ,  5F038AC05 ,  5F038AC16 ,  5F038AC18 ,  5F038DF05 ,  5F038EZ20 ,  5F045AB40 ,  5F045AC07 ,  5F045AC11 ,  5F045AD10 ,  5F045BB16 ,  5F045DA62 ,  5F045EE12 ,  5F045EE18 ,  5F083FR05 ,  5F083GA06 ,  5F083JA15 ,  5F083JA16 ,  5F083JA38 ,  5F083PR21

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 電子デバイスおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-104146   出願人：三菱電機株式会社
• 金属酸化物誘電体膜の気相成長方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-219184   出願人：日本電気株式会社