特許

J-GLOBAL ID：200903095994015687

レジスト除去方法

発明者： 犬飼 和明
出願人/特許権者： ローム株式会社
代理人 (1件)： 松山 允之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-252362
公開番号（公開出願番号）：特開2006-073612
出願日： 2004年08月31日
公開日（公表日）： 2006年03月16日
要約：

【課題】 低誘電率絶縁膜の比誘電率の増加を防止すると共にレジスト残渣を生じさせないレジスト除去を可能にする。【解決手段】 レジストマスクをエッチングマスクにして、被処理基板上の有機成分含有の層間絶縁膜をRIEで加工した後(S1、S2)、上記レジストマスクを除去するために、はじめに、第1の温度下において水素ラジカル照射をして(S3)、レジストマスク表面に形成されている変質層を水素化分解する改質層に変換する(S4)。その後、第1の温度より高い第2の温度下において水素ラジカル照射を行い(S5)、上記改質層およびレジストマスクをアッシング除去する(S6)。このようにして、上記層間絶縁膜の組成変化およびその比誘電率の増加がなく、しかもレジスト残渣の生じないレジスト除去が可能になる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

低誘電率絶縁膜を含む構成の被処理基板上に存在しているレジスト膜をエッチング除去するレジスト除去方法において、 前記被処理基板を第1の温度にして前記レジスト膜に水素ラジカル照射する工程と、 前記第1の温度下での水素ラジカル照射の後、前記被処理基板を前記第1の温度よりも高い温度の第2の温度にして前記レジスト膜に水素ラジカル照射し前記レジスト膜をアッシング除去する工程と、 を有するレジスト除去方法。

IPC (5件)：

H01L 21/306 ,  H01L 21/304 ,  H01L 21/768 ,  H01L 21/027 ,  H01L 23/522

FI (5件)：

H01L21/302 104H ,  H01L21/304 645C ,  H01L21/90 A ,  H01L21/30 572A ,  H01L21/90 J

Fターム (49件)：

5F004AA14 ,  5F004BA03 ,  5F004BA15 ,  5F004BB14 ,  5F004BB18 ,  5F004BD01 ,  5F004DA22 ,  5F004DA23 ,  5F004DA24 ,  5F004DA26 ,  5F004DB26 ,  5F004DB27 ,  5F033HH11 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ32 ,  5F033KK11 ,  5F033MM01 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN02 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ23 ,  5F033QQ26 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ30 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ92 ,  5F033QQ96 ,  5F033RR01 ,  5F033RR09 ,  5F033RR25 ,  5F033RR29 ,  5F033SS11 ,  5F033SS21 ,  5F033TT04 ,  5F033XX21 ,  5F046AA20 ,  5F046MA12

引用特許：

審査官引用 (2件)

• フォトレジスト/エッチング後の残留物を取り除くためのプラズマストリッピング処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-234323   出願人：アクセリステクノロジーズインコーポレーテッド
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-165681   出願人：日本電気株式会社