半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：金田暢之 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-165681
公開番号（公開出願番号）：特開2000-352827
出願日： 1999年06月11日
公開日（公表日）： 2000年12月19日
要約：

【要約】【課題】銅配線や低誘電率膜などの易酸化性膜を形成後、これらの膜を露出させるドライエッチングを行った際に生じるレジスト表面硬化層やレジスト膜を、易酸化性膜に損傷を与えることなく除去する技術を提供すること。【解決手段】レジスト膜6をマスクとしてシリコン窒化膜4が露出するまでHSQ膜5およびシリコン窒化膜4をドライエッチングし、スルーホール7を形成する。つづいて水素/窒素プラズマ処理を行い、レジスト表面硬化層9の形態・性状を変化させる。その後、アミン系剥離液を用いてウエット処理を行うことにより、レジスト膜6、レジスト表面硬化層9およびエッチング残渣8を除去する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に易酸化性膜を形成する工程と、該易酸化性膜の上にレジスト膜を形成する工程と、該レジスト膜をマスクとしてドライエッチングを行い前記易酸化性膜を露出させる工程と、非酸化性ガスを用いたプラズマ処理を行う工程と、ウエット処理を行い、前記レジスト膜とともに前記ドライエッチングにより生じたレジスト表面硬化層を除去する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

G03F 7/36 , G03F 7/42 , H01L 21/027 , H01L 21/3065 , H01L 21/306

FI (6件)：

G03F 7/36 , G03F 7/42 , H01L 21/30 572 A , H01L 21/30 572 B , H01L 21/302 H , H01L 21/306 D

Fターム (34件)：

2H096AA25 , 2H096BA11 , 2H096CA12 , 2H096HA23 , 5F004AA06 , 5F004AA09 , 5F004AA11 , 5F004AA14 , 5F004BA14 , 5F004CA04 , 5F004CA06 , 5F004DA16 , 5F004DA23 , 5F004DA24 , 5F004DA25 , 5F004DA26 , 5F004DB07 , 5F004DB08 , 5F004DB12 , 5F004DB23 , 5F004DB26 , 5F004EA10 , 5F004EA23 , 5F004EB01 , 5F004EB02 , 5F043AA37 , 5F043CC16 , 5F043CC20 , 5F043DD12 , 5F043DD15 , 5F043GG10 , 5F046HA07 , 5F046JA00 , 5F046MA02

引用特許：

審査官引用 (8件)

特開昭60-191255
レジスト用剥離液組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-032817 出願人：東京応化工業株式会社
特開平1-269941

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