半導体レーザ

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：加藤朝道
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-303640
公開番号（公開出願番号）：特開平9-129969
出願日： 1995年10月27日
公開日（公表日）： 1997年05月16日
要約：

【要約】【課題】高温動作特性を大幅に向上した長波長系半導体レーザの提供。【解決手段】InAlGaAs系材料からなる半導体レーザの埋め込み活性層の横方向に電子の漏れ出しを防止するサイドバリア層を形成した。

請求項（抜粋）：

発光再結合する活性層がこれよりもエネルギーギャップが大きく且つ屈折率の小さな半導体材料で覆われた埋め込み構造の半導体レーザにおいて、前記活性層の横に前記活性層よりも伝導帯エネルギーの高い半導体層が形成されてなることを特徴とする埋め込み構造の半導体レーザ。

引用特許：

審査官引用 (3件)

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