3-5族化合物半導体結晶の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：久保山隆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-319672
公開番号（公開出願番号）：特開平8-213326
出願日： 1994年12月22日
公開日（公表日）： 1996年08月20日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】生産性や製品物性の安定性を低下させず、再現性良く結晶性及び表面モーホロジーの優れたエピタキシャル結晶が得られる3-5族化合物半導体結晶の製造方法を提供する。【構成】反応管3内のサセプタ4上にαアルミナ基板5をのせ、管内をH2で置換後高周波加熱によって基板を1100°Cに加熱し、ガス導入管2よりH2で10%に希釈したHClガスを導入して5〜20分保持し、反応管内の堆積物を気相エッチングし除去した。次にHClガスの供給を止めH2中で保持し基板表面を改質した後、基板温度を600°Cまで下げ、導入管1より2l/分のNH3と7×10-6モル/分のトリメチルガリウムTMGガスを供給し、膜厚約500ÅのGaNバッファ層を形成した。TMGガスの供給を止め基板温度を1100°Cに上げ、4.5×10-5モル/分のTMGを供給し3μ厚のGaNエピタキシャル層を成長させた。

請求項（抜粋）：

分子中に少なくともGaを有する3族有機金属化合物と分子中にNを有する化合物とを原料とし、反応管内で3-5族化合物半導体結晶を成長させ、成長させる化合物半導体結晶とは異なる材料の基板上に該結晶を成長させる、3族元素として少なくともGa、5族元素として少なくともNを含有する3-5族化合物半導体結晶の製造方法において、化合物半導体結晶の成長開始前に、ハロゲン元素と5族元素を含む化合物及びハロゲン化水素からなる群から選ばれた少なくとも1種のガスを導入し、反応管内壁を気相エッチングすることを特徴とする3-5族化合物半導体結晶の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/205 , H01L 21/203 , H01L 21/3065 , H01L 33/00

引用特許：

審査官引用 (10件)

特開平1-179788
化合物半導体及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-141807 出願人：三菱化成株式会社
特開平3-069590

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