金属コンタクト構造およびその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：服部雅紀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-000626
公開番号（公開出願番号）：特開2005-203773
出願日： 2005年01月05日
公開日（公表日）： 2005年07月28日
要約：

【課題】金属コンタクト構造およびその製造方法を提供する。【解決手段】金属コンタクトは、層間誘電体を貫通して、トランジスタの金属ゲート電極112などの金属構造と電性接続される。導電層140は、金属層150と金属ゲート112との間に提供される。導電層は、一層以上のバリヤ層、接着層またはエッチング停止層を提供する。導電層は、元素金属、金属合金、金属窒化物、金属酸化物またはそれらの組合せからなる。また、導電層はポリシリコンから形成してもよい。【選択図】図1E

請求項（抜粋）：

金属ゲート電極を有するトランジスタが形成されている半導体基板と、前記金属ゲート電極上に設けられている層間誘電体層と、前記層間誘電体層を貫通して前記金属ゲート電極まで達するように形成されたコンタクトホールとを備える半導体装置であって、前記コンタクトホールは第1の金属層で充填されて、前記第1の金属層と前記金属ゲート電極との間に導電層が設けられることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L21/768 , H01L29/78 , H01L29/786

FI (4件)：

H01L21/90 A , H01L29/78 301G , H01L29/78 617M , H01L29/78 301X

Fターム (103件)：

5F033JJ04 , 5F033JJ07 , 5F033JJ08 , 5F033JJ11 , 5F033JJ14 , 5F033JJ15 , 5F033JJ17 , 5F033JJ18 , 5F033JJ19 , 5F033JJ20 , 5F033JJ21 , 5F033JJ32 , 5F033JJ33 , 5F033JJ35 , 5F033KK07 , 5F033KK08 , 5F033KK11 , 5F033KK14 , 5F033KK15 , 5F033KK17 , 5F033KK18 , 5F033KK19 , 5F033KK20 , 5F033KK21 , 5F033KK32 , 5F033KK33 , 5F033KK35 , 5F033LL04 , 5F033MM05 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP06 , 5F033PP09 , 5F033PP15 , 5F033QQ24 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033VV06 , 5F033WW01 , 5F033WW02 , 5F110AA08 , 5F110BB04 , 5F110CC02 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE07 , 5F110EE14 , 5F110EE32 , 5F110EE36 , 5F110EE38 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110GG02 , 5F110GG12 , 5F110NN03 , 5F110NN23 , 5F110NN35 , 5F110QQ19 , 5F140AA01 , 5F140AA06 , 5F140AA39 , 5F140AB03 , 5F140AC36 , 5F140BA01 , 5F140BA03 , 5F140BA04 , 5F140BA05 , 5F140BD11 , 5F140BF04 , 5F140BF05 , 5F140BF06 , 5F140BF07 , 5F140BF10 , 5F140BF11 , 5F140BF14 , 5F140BF15 , 5F140BF16 , 5F140BF17 , 5F140BF20 , 5F140BF21 , 5F140BF22 , 5F140BF24 , 5F140BF25 , 5F140BF26 , 5F140BF27 , 5F140BF30 , 5F140BF34 , 5F140BF59 , 5F140BF60 , 5F140BG12 , 5F140BG28 , 5F140BG30 , 5F140BG40 , 5F140BG52 , 5F140BG53 , 5F140CC01 , 5F140CC03 , 5F140CC12 , 5F140CE07

引用特許：

審査官引用 (3件)

MIS電界効果トランジスタ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-385570 出願人：白土猛英
半導体デバイスの製造方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2001-545357 出願人：コーニンクレッカフィリップスエレクトロニクスエヌヴィ
半導体集積回路及びその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-299755 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

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