特許
J-GLOBAL ID:200903096067090198

基板処理方法および基板処理装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 稲岡 耕作 ,  川崎 実夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-099365
公開番号(公開出願番号):特開2006-278954
出願日: 2005年03月30日
公開日(公表日): 2006年10月12日
要約:
【課題】処理液による基板処理の面内不均一を抑制する。 【解決手段】この方法は、スピンチャックで1枚の基板を保持して回転させる基板回転工程と、この基板回転工程によって回転されている基板の表面に純水を供給する前純水供給工程と、基板回転工程によって回転されている基板の表面に薬液を供給する薬液供給工程とを含む。薬液供給工程に先だって前純水供給工程が開始され、薬液供給工程開始後にも前純水供給工程が継続される。その後、前純水供給工程を終了し、その後も薬液供給工程を継続した後に当該薬液供給工程を終了する。薬液供給工程の終了前の期間から、基板表面に純水を供給する後純水供給工程が行われる。【選択図】 図2
請求項(抜粋):
基板を1枚ずつ処理する枚葉式の基板処理方法であって、 基板保持回転機構で基板を保持して回転させる基板回転工程と、 この基板回転工程によって回転されている基板の表面に純水を供給する前純水供給工程と、 前記基板回転工程によって回転されている基板の表面に薬液を供給する薬液供給工程とを含み、 前記薬液供給工程に先だって前記前純水供給工程を開始するとともに、前記薬液供給工程開始後にも前記前純水供給工程を継続した後に当該前純水供給工程を終了し、その後も前記薬液供給工程を継続した後に当該薬液供給工程を終了することを特徴とする基板処理方法。
IPC (2件):
H01L 21/306 ,  H01L 21/304
FI (3件):
H01L21/306 R ,  H01L21/304 643A ,  H01L21/304 648G
Fターム (5件):
5F043DD13 ,  5F043EE07 ,  5F043EE08 ,  5F043EE27 ,  5F043EE40
引用特許:
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (2件)
  • 現像処理方法及び現像処理装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平10-074906   出願人:東京エレクトロン株式会社
  • 処理方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平6-084064   出願人:東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン九州株式会社

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