特許
J-GLOBAL ID：200903096078002355
半導体装置およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井出 直孝 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-307256
公開番号（公開出願番号）：特開平11-145387
出願日： 1997年11月10日
公開日（公表日）： 1999年05月28日
要約：
【要約】【課題】 小容量キャパシタと大容量キャパシタとを同一基板上に少ないプロセスで形成する。【解決手段】 小容量キャパシタと大容量キャパシタとの少なくとも一方の電極を同時に形成する。
請求項（抜粋）：
小容量キャパシタと大容量キャパシタとを同一基板上に形成する半導体装置の製造方法において、前記小容量キャパシタの下部電極上に低誘電率膜を形成した後にその小容量キャパシタの上部電極と前記大容量キャパシタの下部電極とを同時に形成し、前記大容量キャパシタの下部電極上に高誘電率膜および上部電極を積層することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
引用特許：
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