特許
J-GLOBAL ID:200903096089641333

透明導電膜の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-220068
公開番号(公開出願番号):特開2004-063271
出願日: 2002年07月29日
公開日(公表日): 2004年02月26日
要約:
【課題】導電膜の表面抵抗値をインラインでかつ非接触にて直接測定して、最適な酸素導入量(酸素分圧)を早期に決定し、表面抵抗値の安定した導電膜を成膜し、製品の歩留まりを向上させることができる透明導電膜の製造方法を提供する。【解決手段】基板上に金属酸化物薄膜を形成させた透明導電膜の製造方法において、透明導電膜の製造工程が透明導電膜の表面抵抗値をインラインでかつ非接触で測定する測定手段と、前記測定手段から得られる表面抵抗値に基づいて成膜条件を決定する制御手段を含み、前記測定手段はフェライトコイルを用いて導電膜に誘導される渦電流から表面抵抗値を測定してなり、かつ前記制御手段は前記表面抵抗値が最小となるように酸素導入量を連続的に可変させてなることを特徴とする透明導電膜の製造方法。【選択図】 図2
請求項(抜粋):
基板上に金属酸化物薄膜を形成させた透明導電膜の製造方法において、透明導電膜の製造工程が透明導電膜の表面抵抗値をインラインでかつ非接触で測定する測定手段と、前記測定手段から得られる表面抵抗値に基づいて成膜条件を決定する制御手段を含み、前記測定手段はフェライトコイルを用いて導電膜に誘導される渦電流から表面抵抗値を測定してなり、かつ前記制御手段は前記表面抵抗値が最小となるように酸素導入量を連続的に可変させてなることを特徴とする透明導電膜の製造方法。
IPC (2件):
H01B13/00 ,  G01R27/02
FI (2件):
H01B13/00 503B ,  G01R27/02 R
Fターム (29件):
2G028AA01 ,  2G028AA03 ,  2G028BC02 ,  2G028CG02 ,  2G028HN15 ,  2G028JP01 ,  2G028JP02 ,  4K029AA11 ,  4K029AA25 ,  4K029BA50 ,  4K029BC09 ,  4K029BD00 ,  4K029CA06 ,  4K029DA03 ,  4K029DC05 ,  4K029DC34 ,  4K029DC39 ,  4K029EA04 ,  4K029JA10 ,  4K029KA01 ,  5G307FA02 ,  5G307FB01 ,  5G307FC10 ,  5G323BA02 ,  5G323BB02 ,  5G323BB03 ,  5G323BB04 ,  5G323BB05 ,  5G323BC03
引用特許:
審査官引用 (5件)
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