特許

J-GLOBAL ID：200903096118573377

3C-SiCナノウィスカーの合成方法及び3C-SiCナノウィスカー

発明者： 安藤 寿浩 ,  蒲生 美香 ,  張 亜非
出願人/特許権者： 科学技術振興事業団 ,  独立行政法人物質・材料研究機構
代理人 (1件)： 平山 一幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-191226
公開番号（公開出願番号）：特開2003-002800
出願日： 2001年06月25日
公開日（公表日）： 2003年01月08日
要約：

【要約】【課題】 直径と長さが制御でき、Si基板上に成長でき、かつ、安全でコストの低い3C-SiCナノウィスカー合成方法を提供する。また、可視光の発光波長が異なる3C-SiCナノウィスカーを提供する。【解決手段】 Si基板1上に金属元素からなる薄膜2を堆積し、この基板1を水素と炭化水素からなるプラズマ中で所定の基板温度で一定時間保持して形成する。金属液体粒子3にSi基板1のSiとプラズマ中のCが過飽和に溶け込み、金属液体粒子3上に3C-SiCナノウィスカー4が成長し、ウィスカーの表面はHで終端されて直径が一定に保たれ、ウィスカーの根本の金属液体粒子3はSi基板1のSiを取り込んで、Si基板1中に潜り込む。

請求項（抜粋）：

Si基板上に金属元素からなる薄膜を堆積し、この基板を水素と炭化水素からなるプラズマ中で所定の基板温度で一定時間保持して形成することを特徴とする、3C-SiCナノウィスカーの合成方法。

IPC (4件)：

C30B 29/62 ,  B82B 1/00 ,  B82B 3/00 ,  C01B 31/36 601

FI (4件)：

C30B 29/62 K ,  B82B 1/00 ,  B82B 3/00 ,  C01B 31/36 601 B

Fターム (10件)：

4G046MA14 ,  4G046MB04 ,  4G046MC02 ,  4G077AA04 ,  4G077BE08 ,  4G077DB19 ,  4G077ED06 ,  4G077EE05 ,  4G077EE06 ,  4G077HA20

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特許第6221154号
  
• 特開昭62-036100
  
• カーボンナノチューブの製法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-008461   出願人：キヤノン株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• Thin β-SiC nanorods and their field emission properties