特許
J-GLOBAL ID:200903096142767506
ゲート誘電体層及びパッシベーション層としてポリ(アリーレンエーテル)ポリマーを有する薄膜トランジスタ
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (4件):
青木 篤
, 石田 敬
, 古賀 哲次
, 高橋 正俊
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2007-147136
公開番号(公開出願番号):特開2007-321152
出願日: 2007年06月01日
公開日(公表日): 2007年12月13日
要約:
【課題】ポリ(アリーレンエーテル)ポリマーを薄膜トランジスタのパッシベーション層又はゲート誘電体層として提供することによる、従来の材料に関連した問題、及びTFTに層又は膜を適用する方法に関連した問題を解決する。【解決手段】以下の構造のポリマー繰り返し単位が含まれる、ポリ(アリーレンエーテル)ポリマーを薄膜トランジスタのパッシベーション層又はゲート誘電体層として使用する。 -(O-Ar1-O-Ar2)m-(O-Ar3-O-Ar4)n-(式中、Ar1、Ar2、Ar3及びAr4は、同一又は異種のアリール基、mは0〜1、nは1-mであり、アリール基の少なくとも1つがポリマー骨格にグラフトしている。)【選択図】図1
請求項(抜粋):
以下の構造の繰り返し単位を含む少なくとも1種のポリマーを含んでなる、薄膜トランジスタにおけるゲート誘電体層又はパッシベーション層。
-(O-Ar1-O-Ar2)m-(O-Ar3-O-Ar4)n-
(式中、Ar1、Ar2、Ar3及びAr4は、同一又は異種のアリール基、mは0〜1、nは1-mであって、該アリール基の少なくとも1つが、少なくとも1つの不飽和基又は飽和基とグラフトしており、該少なくとも1つの不飽和基又は飽和基は非芳香族であって、硬化中に揮発分を生成せず、かつ硬化後に官能基を提供することなく、200°C未満の硬化温度で架橋するように適合している。)
IPC (5件):
C08G 65/38
, C08J 7/00
, H01L 29/786
, H01L 51/05
, H01L 51/30
FI (9件):
C08G65/38
, C08J7/00 302
, C08J7/00
, C08J7/00 301
, H01L29/78 618B
, H01L29/78 617T
, H01L29/78 619A
, H01L29/28 100A
, H01L29/28 280
Fターム (43件):
4F073AA07
, 4F073AA13
, 4F073BA27
, 4F073BB02
, 4F073CA42
, 4F073CA45
, 4F073CA51
, 4F073CA53
, 4F073GA11
, 4J005AA21
, 4J005BA00
, 5F110AA12
, 5F110AA16
, 5F110BB01
, 5F110BB05
, 5F110BB09
, 5F110BB10
, 5F110BB20
, 5F110CC03
, 5F110CC05
, 5F110CC07
, 5F110DD01
, 5F110DD02
, 5F110DD05
, 5F110EE02
, 5F110EE03
, 5F110EE04
, 5F110EE42
, 5F110FF01
, 5F110FF05
, 5F110FF27
, 5F110GG05
, 5F110GG42
, 5F110HK02
, 5F110HK03
, 5F110HK04
, 5F110HK32
, 5F110NN02
, 5F110NN27
, 5F110NN28
, 5F110NN33
, 5F110NN36
, 5F110QQ06
引用特許:
出願人引用 (1件)
審査官引用 (5件)
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