特許
J-GLOBAL ID:200903096142767506

ゲート誘電体層及びパッシベーション層としてポリ(アリーレンエーテル)ポリマーを有する薄膜トランジスタ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (4件): 青木 篤 ,  石田 敬 ,  古賀 哲次 ,  高橋 正俊
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2007-147136
公開番号(公開出願番号):特開2007-321152
出願日: 2007年06月01日
公開日(公表日): 2007年12月13日
要約:
【課題】ポリ(アリーレンエーテル)ポリマーを薄膜トランジスタのパッシベーション層又はゲート誘電体層として提供することによる、従来の材料に関連した問題、及びTFTに層又は膜を適用する方法に関連した問題を解決する。【解決手段】以下の構造のポリマー繰り返し単位が含まれる、ポリ(アリーレンエーテル)ポリマーを薄膜トランジスタのパッシベーション層又はゲート誘電体層として使用する。 -(O-Ar1-O-Ar2)m-(O-Ar3-O-Ar4)n-(式中、Ar1、Ar2、Ar3及びAr4は、同一又は異種のアリール基、mは0〜1、nは1-mであり、アリール基の少なくとも1つがポリマー骨格にグラフトしている。)【選択図】図1
請求項(抜粋):
以下の構造の繰り返し単位を含む少なくとも1種のポリマーを含んでなる、薄膜トランジスタにおけるゲート誘電体層又はパッシベーション層。 -(O-Ar1-O-Ar2)m-(O-Ar3-O-Ar4)n- (式中、Ar1、Ar2、Ar3及びAr4は、同一又は異種のアリール基、mは0〜1、nは1-mであって、該アリール基の少なくとも1つが、少なくとも1つの不飽和基又は飽和基とグラフトしており、該少なくとも1つの不飽和基又は飽和基は非芳香族であって、硬化中に揮発分を生成せず、かつ硬化後に官能基を提供することなく、200°C未満の硬化温度で架橋するように適合している。)
IPC (5件):
C08G 65/38 ,  C08J 7/00 ,  H01L 29/786 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/30
FI (9件):
C08G65/38 ,  C08J7/00 302 ,  C08J7/00 ,  C08J7/00 301 ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 617T ,  H01L29/78 619A ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 280
Fターム (43件):
4F073AA07 ,  4F073AA13 ,  4F073BA27 ,  4F073BB02 ,  4F073CA42 ,  4F073CA45 ,  4F073CA51 ,  4F073CA53 ,  4F073GA11 ,  4J005AA21 ,  4J005BA00 ,  5F110AA12 ,  5F110AA16 ,  5F110BB01 ,  5F110BB05 ,  5F110BB09 ,  5F110BB10 ,  5F110BB20 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE42 ,  5F110FF01 ,  5F110FF05 ,  5F110FF27 ,  5F110GG05 ,  5F110GG42 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK32 ,  5F110NN02 ,  5F110NN27 ,  5F110NN28 ,  5F110NN33 ,  5F110NN36 ,  5F110QQ06
引用特許:
出願人引用 (1件)
  • 米国特許第6060170号明細書
審査官引用 (5件)
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