特許
J-GLOBAL ID：200903096160487596

電圧制御型発振器

発明者：
立山 雄一

立山 雄一 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (3件)： 高松 猛 ,  市川 利光 ,  橋本 公秀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-291576
公開番号（公開出願番号）：特開2006-109002
出願日： 2004年10月04日
公開日（公表日）： 2006年04月20日
要約：
【課題】温度補償制御信号および外部電圧周波数制御信号とは独立してMOSトランジスタの閾値電圧を制御可能な電圧制御型発振器を提供する。【解決手段】帰還抵抗1とインバータ2と水晶振動子3で構成された発振回路の負荷容量を、ソース端子とドレイン端子を短絡したMOSトランジスタ13,14のソース-ドレイン端子とゲート端子の間に生じる静電容量を可変容量として、DCカット容量8,9と可変容量(MOSトランジスタ13,14)の直列接続を水晶振動子3の一方の端子および他方の端子とAC接地端子との間に構成する。例えば、ソース-ドレイン端子には高周波除去抵抗15,16を介し、MOSトランジスタ13,14の閾値電圧制御信号を入力する。またゲート端子には、温度補償制御信号と外部電圧周波数制御信号を重畳した信号を入力する。これにより、温度補償制御回路や外部電圧周波数制御回路の出力バイアスを任意に決定できる。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
増幅器と、圧電振動子と、前記圧電振動子の両端子間に、可変容量と第1および第2のDCカット容量とからなる可変容量手段とを備え、 前記可変容量が、第1のMOSトランジスタと第2のMOSトランジスタとで構成され、 前記第1のMOSトランジスタのソース-ドレイン端子が短絡されこのソース-ドレイン端子と、前記第1および第2のMOSトランジスタのゲート端子間に生じる静電容量で構成されるとともに、 前記ソース-ドレイン端子と前記ゲート端子に逆の位相の発振電圧が印加され、前記第1のMOSトランジスタのソース-ドレイン端子に入力される第1の制御信号と、前記第1および第2のMOSトランジスタのゲート端子に入力される第2の制御信号とにより発振周波数を制御するようにした電圧制御型発振器。
IPC (1件)：
H03B 5/32
FI (1件)：
H03B5/32 E
Fターム (15件)：
5J079AA04 ,  5J079BA02 ,  5J079BA17 ,  5J079BA42 ,  5J079BA44 ,  5J079BA47 ,  5J079DA12 ,  5J079DA15 ,  5J079DA16 ,  5J079FA06 ,  5J079FA14 ,  5J079FA17 ,  5J079FB03 ,  5J079FB09 ,  5J079JA01
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (3件)

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