特許
J-GLOBAL ID：200903096177104585
複合光デバイスの製造方法
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-083727
公開番号（公開出願番号）：特開2000-275460
出願日： 1999年03月26日
公開日（公表日）： 2000年10月06日
要約：
【要約】【課題】 レーザ発振領域および光変調器領域を含むレーザメサ部の端面およびアイソレーショントレンチの形成にかかる工程において、(110)面における結晶成長に対して(001)面における化合物半導体の結晶成長を助長し、絶縁膜や開口部の両壁面上部への化合物半導体の結晶成長を抑制すること。【解決手段】 化合物半導体基板の(001)面上に第1クラッド層を介して形成された活性層、第2クラッド層、光ガイド層および第3クラッド層を含むレーザ発振領域と該第1クラッド層上に光導波または光吸収層および第2クラッド層を含む光変調器領域を含むメサ構造部が、該活性層の一端面と該光導波または光吸収層の一端面とを接合するように構成され、および光変調器領域のレーザ発振領域と接合している端面と反対の端面が[110]と直交する方向[1/10]とほぼ45°の角度を成すように形成されることを含む複合光デバイスの製造方法。
請求項（抜粋）：
化合物半導体基板の(001)面上に第1クラッド層を介して形成された活性層、第2クラッド層、光ガイド層および第3クラッド層を含むレーザ発振領域と該第1クラッド層上に光導波または光吸収層および第2クラッド層を含む光変調器領域を含むメサ構造部が、該活性層の一端面と該光導波または光吸収層の一端面とを接合するように構成され、および該メサ構造部の端面が[110]と直交する方向[1/10]とほぼ45°の角度を成すように形成されることを含む複合光デバイスの製造方法。
IPC (3件)：
G02B 6/13
, G02F 1/025
, H01S 5/50 630
G02B 6/12 M
, G02F 1/025
, H01S 3/18 694
2H047KA05
, 2H047MA07
, 2H047NA04
, 2H047PA06
, 2H047PA21
, 2H047PA24
, 2H047QA02
, 2H047RA08
, 2H047TA42
, 2H079AA02
, 2H079BA01
, 2H079DA16
, 2H079EA08
, 2H079EB04
, 2H079HA14
, 2H079JA06
, 2H079JA07
, 2H079KA18
, 5F073AA11
, 5F073AA43
, 5F073AA64
, 5F073AB21
, 5F073CA12
, 5F073DA05
, 5F073EA14
