特許

J-GLOBAL ID：200903096188839617

イメージセンサ

発明者： 浜崎 正治
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-033230
公開番号（公開出願番号）：特開平9-232555
出願日： 1996年02月21日
公開日（公表日）： 1997年09月05日
要約：

【要約】【課題】 画素間クロストークの発生を避けるために、N型の半導体基板に設けたP型のウエル層に受光部となるN+ 型の不純物層を形成すると、P型のウエル層とN+ 型の不純物層との接合容量が増加して検出感度を低下させていた。【解決手段】 第1導電型(N型)の半導体基板11に設けた第2導電型(P型)のウエル層12に第1導電型の受光部となるN+ 型の不純物層13を形成したイメージセンサ1 において、N+ 型の不純物層13とP型のウエル層12との間に、N+ 型の不純物層13よりも不純物濃度が低くかつN+ 型の不純物層13の下部側に接続するN- 型の不純物層14を備えたものである。またはP型のウエル層12よりも不純物濃度が低くかつN+ 型の不純物層13の下部側に接合するP型の不純物層(図示省略)を備えてもよい。

請求項（抜粋）：

第1導電型の半導体基板に設けた第2導電型のウエル層に第1導電型の受光部を形成したイメージセンサにおいて、前記第1導電型の受光部と前記第2導電型のウエル層との間に、該第1導電型の受光部よりも不純物濃度が低くかつ該第1導電型の受光部の下部側に接続する第1導電型の不純物層を備えたことを特徴とするイメージセンサ。

IPC (3件)：

H01L 27/146 ,  H01L 31/10 ,  H04N 5/335

FI (3件)：

H01L 27/14 A ,  H04N 5/335 E ,  H01L 31/10 A

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 固体撮像装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-308947   出願人：日本電気株式会社
• 特開平4-260369
  
• 縦形オーバーフローイメージセンサーの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-120667   出願人：ソニー株式会社
• 特開平4-260369
  
• 特開平4-260369