特許
J-GLOBAL ID：200903096205957149
半導体装置とその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-010801
公開番号（公開出願番号）：特開2000-208753
出願日： 1999年01月19日
公開日（公表日）： 2000年07月28日
要約：
【要約】【課題】 相互コンダクタンスGmおよびソース・ゲート間容量Cgsのゲート電圧Vgに対する線型性に優れ、しかもソース電極およびドレイン電極とチャネル層間の抵抗の低減化を図り、高効率低電圧駆動を行うことができるようにする。【解決手段】 チャネル層34を有し、ゲート電極40を挟んでその両側にソース電極38とドレイン電極39とが配置された半導体装置であって、チャネル層34に対するソース電極38およびドレイン電極39からの各距離が、チャネル層34に対するゲート電極40からの距離より小に選定された構成とする。
請求項（抜粋）：
チャネル層を有し、ゲート電極を挟んでその両側にソース電極とドレイン電極とが配置された半導体装置であって、上記チャネル層に対する上記ソース電極およびドレイン電極からの各距離が、上記チャネル層に対する上記ゲート電極からの距離より小に選定されて成ることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/778
, H01L 21/338
, H01L 29/812
5F102FA02
, 5F102FA07
, 5F102GC01
, 5F102GD05
, 5F102GJ05
, 5F102GK08
, 5F102GL08
, 5F102GM08
, 5F102GQ01
, 5F102HC01
