特許
J-GLOBAL ID：200903096212135200

半導体装置及びその製造方法

発明者：
笠井 直記

笠井 直記 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 藤巻 正憲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-314462
公開番号（公開出願番号）：特開2001-135723
出願日： 1999年11月04日
公開日（公表日）： 2001年05月18日
要約：
【要約】【課題】 中間配線層のパターン数、リソグラフィ工程数及びエッチング工程数が少ない半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板1の表面には複数の下層配線2が形成され、半導体基板1上に下層配線2を覆うようにして第1層間絶縁膜3が形成されている。第1コンタクトプラグ4が第1層間絶縁膜3を挿通して下層配線2に接続されている。第2コンタクトプラグ4aが第1層間絶縁膜2内に形成され配線2に接続されている。これを介して下層配線2に接続される中間層配線5が形成されている。また、第1層間絶縁膜3上に第2層間絶縁膜7が積層され、第3コンタクトプラグ8が第2層間絶縁膜7を挿通して第1コンタクトプラグ4及び中間層配線5に接続されている。第1コンタクトプラグ4、中間層配線5及び第2コンタクトプラグ4aは同一の導電体の埋め込みにより形成されたものであり、第1コンタクトプラグ4及び中間層配線5の上面とは高さが同一である。
請求項（抜粋）：
多層配線構造を有する半導体装置において、半導体基板と、前記半導体基板上に形成された複数の第1導電層と、前記半導体基板上に前記第1導電層を覆うようにして形成された第1層間絶縁膜と、この第1層間絶縁膜の上面と実質的に高さが同一の上面を有する第2導電層と、前記第1層間絶縁膜を挿通して前記第1導電層に接続された第1コンタクトプラグと、前記第1層間絶縁膜内に形成され前記第1導電層と前記第2導電層とを接続する第2コンタクトプラグと、前記第1層間絶縁膜上に積層された第2層間絶縁膜と、前記第2層間絶縁膜を挿通し前記第1コンタクトプラグ及び第2導電層に接続された第3コンタクトプラグとを有し、前記第1コンタクトプラグ、前記第2導電層及び前記第2コンタクトプラグは同一の導電体の埋め込みにより形成されたものであり、前記第1コンタクトプラグの上面と前記第2導電層の上面とは高さが同一であることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/768 ,  H01L 21/28 301
FI (2件)：
H01L 21/28 301 R ,  H01L 21/90 A
Fターム (36件)：
4M104BB01 ,  4M104BB24 ,  4M104BB30 ,  4M104DD07 ,  4M104DD37 ,  4M104DD43 ,  4M104DD72 ,  4M104DD75 ,  4M104FF18 ,  4M104FF22 ,  4M104GG09 ,  4M104GG14 ,  4M104HH12 ,  4M104HH20 ,  5F033HH09 ,  5F033HH19 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK04 ,  5F033KK19 ,  5F033KK26 ,  5F033KK33 ,  5F033MM05 ,  5F033MM13 ,  5F033NN03 ,  5F033NN07 ,  5F033NN37 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ23 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033TT02
引用特許：
審査官引用 (3件)

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