特許

J-GLOBAL ID：200903096220314033

プラズマプロセス装置

発明者： 田寺 孝光 ,  平山 昌樹 ,  大見 忠弘
出願人/特許権者： シャープ株式会社 ,  大見 忠弘
代理人 (1件)： 深見 久郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-272372
公開番号（公開出願番号）：特開2001-093839
出願日： 1999年09月27日
公開日（公表日）： 2001年04月06日
要約：

【要約】【課題】 Oリング等の封止部の劣化を確実に防止し、高マイクロ波パワーにおける連続運転を可能とする、プラズマプロセス装置を提供する。【解決手段】 プラズマプロセス装置であって、プラズマを用いて処理を行なう処理室2と、処理室2にマイクロ波を導入するマイクロ波導入手段3と、マイクロ波によりプラズマ状態にされる反応ガスを処理室2に供給するガス供給手段14とを備え、処理室2は、マイクロ波を導入するための開口部を有し、開口部に挿入される誘電体からなるマイクロ波導入窓4をさらに備え、処理室2の内部と外部との間の封止10、11はマイクロ波導入手段3側で行なわれることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

プラズマプロセス装置であって、プラズマを用いて処理を行なう処理室と、前記処理室にマイクロ波を導入するマイクロ波導入手段と、前記マイクロ波によりプラズマ状態にされる反応ガスを前記処理室に供給するガス供給手段とを備え、前記処理室は、マイクロ波を導入するための開口部を有し、前記開口部に挿入される誘電体からなるマイクロ波導入窓をさらに備え、前記処理室の内部と外部との間の封止は、前記マイクロ波導入手段側で行なわれることを特徴とする、プラズマプロセス装置。

IPC (4件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/511 ,  H01L 21/3065 ,  H05H 1/46

FI (4件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/511 ,  H05H 1/46 B ,  H01L 21/302 B

Fターム (13件)：

4K030FA01 ,  4K030KA26 ,  4K030KA30 ,  4K030KA46 ,  5F004AA16 ,  5F004BA20 ,  5F004BC01 ,  5F045AA09 ,  5F045DP02 ,  5F045EB02 ,  5F045EH03 ,  5F045EJ01 ,  5F045EJ09

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平3-095899
  
• プラズマ処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-048460   出願人：東京エレクトロン株式会社, 日本高周波株式会社
• プラズマ処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-237034   出願人：株式会社東芝
• 特開平3-095899