半導体レーザ装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：柳田征史 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-085230
公開番号（公開出願番号）：特開平11-298086
出願日： 1998年03月31日
公開日（公表日）： 1999年10月29日
要約：

【要約】【課題】 1.0μm帯半導体レーザの高出力発振下における信頼性を向上させる。【解決手段】 n-GaAs基板1上に、n-In0.48Ga0.52Pクラッド層2、nまたはi-Inx1Ga1-x1As1-y1Py1光導波層3、i-GaAs1-y2Py2引張り歪バリア層4、圧縮歪Inx3Ga1-x3As1-y3Py3 量子井戸活性層5、i-GaAs1-y2Py2引張り歪バリア層6、pまたはi-Inx1Ga1-x1As1-y1Py1光導波層7、p-In0.48Ga0.52Pクラッド層8、p-GaAsコンタクト層9を順次形成する。なお、各クラッド層2、8および各光導波層3、7はそれぞれ基板1に格子整合する組成とし、引張り歪バリア層4、6は各層厚が10〜30nmであって、基板1に対する引張り歪の歪量が、歪量×層厚=5〜20%nmとなる組成とし、活性層5は層厚 6〜10nmであって、基板1に対する圧縮歪の歪量が1.0%以上となる組成とし、各バリア層の歪量と層厚との積の和が量子井戸活性層の歪量と層厚との積より大である組成とする。

請求項（抜粋）：

GaAs基板上に、p型またはn型の一方の導電性を有する第一クラッド層、第一光導波層、GaAs1-y2Py2第一バリア層、Inx3Ga1-x3As1-y3Py3量子井戸活性層、GaAs1-y2Py2 第二バリア層、第二光導波層、p型またはn型の他方の導電性を有する第二クラッド層がこの順に積層されてなる半導体レーザ装置であって、前記第一および第二クラッド層が前記GaAs基板に格子整合する組成からなり、前記第一および第二光導波層が前記GaAs基板に格子整合するInGaAsP 系組成からなり、前記第一および第二バリア層が、それぞれ前記GaAs基板に対して引張り歪を有する、層厚10〜30nm の層であって、その引張り歪の歪量×層厚=5〜20%nmを満たす組成からなり、前記Inx3Ga1-x3As1-y3Py3量子井戸活性層が、層厚6〜10nmの層であって、前記GaAs基板に対して1.0%以上の圧縮歪を有する組成からなるものであり、前記第一バリア層の歪量と層厚との積と前記第二バリア層の歪量と層厚との積との和が、前記量子井戸活性層の歪量と層厚との積より大であることを特徴とする半導体レーザ装置。

引用特許：

出願人引用 (2件)

半導体レーザ素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-022173 出願人：古河電気工業株式会社
半導体レーザ素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-256714 出願人：株式会社日立製作所

審査官引用 (2件)

半導体レーザ素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-022173 出願人：古河電気工業株式会社
半導体レーザ素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-256714 出願人：株式会社日立製作所

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