膜形成用組成物の製造方法、膜形成用組成物、膜の形成方法およびシリカ系膜

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-359989
公開番号（公開出願番号）：特開2003-163209
出願日： 2001年11月26日
公開日（公表日）： 2003年06月06日
要約：

【要約】【課題】半導体素子などにおける層間絶縁膜材料として、溶液の濾過性が良好で、かつ溶液中の異物数が少ないシリカ系膜が形成可能な膜形成用組成物を得る。【解決手段】ポリシロキサンおよび有機溶剤を含有する溶液を薄膜真空蒸発方式により濃縮することを特徴とする膜形成用組成物の製造方法。

請求項（抜粋）：

ポリシロキサンおよび有機溶剤を含有する溶液を薄膜真空蒸発方式により濃縮することを特徴とする膜形成用組成物の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/312 , C09D183/02 , C09D183/04 , C09D183/14 , H01L 21/316

FI (5件)：

H01L 21/312 C , C09D183/02 , C09D183/04 , C09D183/14 , H01L 21/316 G

Fターム (29件)：

4J038DL021 , 4J038DL031 , 4J038DL161 , 4J038HA306 , 4J038JA19 , 4J038JA37 , 4J038JB01 , 4J038JB11 , 4J038JC38 , 4J038KA04 , 4J038KA06 , 4J038LA05 , 4J038MA07 , 4J038MA09 , 4J038NA21 , 4J038NA23 , 4J038PA19 , 5F058AA10 , 5F058AC03 , 5F058AF04 , 5F058AG01 , 5F058AH02 , 5F058AH03 , 5F058BA20 , 5F058BC05 , 5F058BF46 , 5F058BH01 , 5F058BJ02 , 5F058BJ03

引用特許：

審査官引用 (4件)

シリカ系膜の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-011088 出願人：ジェイエスアール株式会社
シリカ系膜の製造方法、シリカ系膜、絶縁膜および半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-102715 出願人：ジェイエスアール株式会社
特開昭63-139918

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