特許
J-GLOBAL ID：200903048533636096

シリカ系膜の製造方法、シリカ系膜、絶縁膜および半導体装置

発明者：
塩田 淳

塩田 淳 について

, 
住谷 孝治

住谷 孝治 について


出願人/特許権者：
ジェイエスアール株式会社

ジェイエスアール株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-102715
公開番号（公開出願番号）：特開2001-286821
出願日： 2000年04月04日
公開日（公表日）： 2001年10月16日
要約：
【要約】【課題】 半導体素子などにおける層間絶縁として、適当な均一な厚さを有する塗膜が形成可能で保存安定性に優れ、しかも塗膜の比誘電率、機械的強度および耐吸湿性などに優れた膜を得る。【解決手段】 シロキサン化合物を含む膜に電子線を照射することを特徴とするシリカ系膜の製造方法。
請求項（抜粋）：
シロキサン化合物を含む膜に電子線を照射することを特徴とするシリカ系膜の製造方法。
IPC (9件)：
B05D 7/24 302 ,  B05D 3/06 101 ,  H01L 21/312 ,  H01L 21/316 ,  C08G 77/50 ,  C08J 7/00 CFH ,  C08J 7/00 302 ,  C09D183/04 ,  C08L 83:04
FI (9件)：
B05D 7/24 302 Y ,  B05D 3/06 101 Z ,  H01L 21/312 C ,  H01L 21/316 G ,  C08G 77/50 ,  C08J 7/00 CFH ,  C08J 7/00 302 ,  C09D183/04 ,  C08L 83:04
Fターム (60件)：
4D075BB26Z ,  4D075BB47Z ,  4D075BB56Z ,  4D075BB93Z ,  4D075BB94Z ,  4D075CA21 ,  4D075DC22 ,  4D075EB42 ,  4D075EB43 ,  4D075EB56 ,  4F073AA07 ,  4F073AA18 ,  4F073AA32 ,  4F073BA33 ,  4F073BB01 ,  4F073BB09 ,  4F073CA42 ,  4F073DA09 ,  4F073FA08 ,  4J035BA01 ,  4J035BA02 ,  4J035BA03 ,  4J035BA04 ,  4J035BA11 ,  4J035BA12 ,  4J035BA13 ,  4J035BA14 ,  4J035CA112 ,  4J035CA162 ,  4J035CA182 ,  4J035EA01 ,  4J035HA01 ,  4J035HB01 ,  4J035LA03 ,  4J035LB01 ,  4J035LB20 ,  4J038DL031 ,  4J038KA04 ,  4J038KA06 ,  4J038MA11 ,  4J038NA17 ,  4J038NA21 ,  4J038PA17 ,  4J038PB09 ,  5F058AA03 ,  5F058AA04 ,  5F058AA10 ,  5F058AC03 ,  5F058AF04 ,  5F058AG01 ,  5F058AG10 ,  5F058AH01 ,  5F058AH02 ,  5F058BA06 ,  5F058BA07 ,  5F058BA20 ,  5F058BC05 ,  5F058BF46 ,  5F058BJ01 ,  5F058BJ02
引用特許：
審査官引用 (9件)
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