特許

J-GLOBAL ID：200903096251290752

半導体ウェーハの製造方法

発明者： 横川 功 ,  能登 宣彦
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社
代理人 (1件)： 好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-305637
公開番号（公開出願番号）：特開2006-120782
出願日： 2004年10月20日
公開日（公表日）： 2006年05月11日
要約：

【課題】格子緩和が十分に行なわれ、表面の面粗れが抑制され、かつ結晶性のよいSiGe層を有する半導体ウェーハの製造方法を提供する。【解決手段】半導体ウェーハの製造方法であって、少なくとも、ボンドウェーハとなるシリコン単結晶ウェーハの表面にSiGe層をエピタキシャル成長させ、該SiGe層を通して水素イオンまたは希ガスイオンの少なくとも一種類を注入することにより前記ボンドウェーハ内部にイオン注入層を形成し、前記SiGe層の表面とベースウェーハの表面とを絶縁膜を介して密着させて貼り合わせ、その後前記イオン注入層で剥離を行い、前記剥離によりベースウェーハ側に移設した剥離層のSi層を除去することによりSiGe層を露出させ、その後、該露出したSiGe層に対して、酸化性雰囲気下でGeを濃縮する熱処理及び/又は非酸化性雰囲気下で格子歪みを緩和させる熱処理を行なうことを特徴とする半導体ウェーハの製造方法。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

半導体ウェーハの製造方法であって、少なくとも、ボンドウェーハとなるシリコン単結晶ウェーハの表面にSiGe層をエピタキシャル成長させ、該SiGe層を通して水素イオンまたは希ガスイオンの少なくとも一種類を注入することにより前記ボンドウェーハ内部にイオン注入層を形成し、前記SiGe層の表面とベースウェーハの表面とを絶縁膜を介して密着させて貼り合わせ、その後前記イオン注入層で剥離を行い、前記剥離によりベースウェーハ側に移設した剥離層のSi層を除去することによりSiGe層を露出させ、その後、該露出したSiGe層に対して、酸化性雰囲気下でGeを濃縮する熱処理及び/又は非酸化性雰囲気下で格子歪みを緩和させる熱処理を行なうことを特徴とする半導体ウェーハの製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/02 ,  H01L 27/12

FI (3件)：

H01L21/20 ,  H01L21/02 B ,  H01L27/12 B

Fターム (5件)：

5F052JA01 ,  5F052KA01 ,  5F052KA02 ,  5F052KA05 ,  5F052KB05

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 半導体装置及び半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-346561   出願人：株式会社東芝
• 半導体ウェーハの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-358783   出願人：信越半導体株式会社