特許
J-GLOBAL ID:200903096259532216

中空の酸化物超電導体およびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 大川 浩一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-017855
公開番号(公開出願番号):特開2002-080221
出願日: 2001年01月26日
公開日(公表日): 2002年03月19日
要約:
【要約】【課題】 電気特性、磁気特性、機械強度に優れた大型で中空の酸化物超電導体およびこのような酸化物超電導体を低コストで製造できる酸化物超電導体の製造方法を提供する。【解決手段】 RE化合物(REはYを含む1種または2種以上の希土類金属元素)とBa化合物とCu化合物とを含む原料混合体を、この原料混合体の融点より高い温度で加熱溶融した後に、徐冷して結晶を成長させることによりRE-Ba-Cu-O系酸化物超電導体を製造する方法において、原料混合体から筒状の前駆体とこの筒状の前駆体の開口部を塞ぐ大きさの板状の前駆体とを製造し、筒状の前駆体の上部に板状の前駆体を積層し、これらの前駆体を加熱溶融した後に、徐冷して板状の前駆体から筒状の前駆体側に向かって結晶成長させる。
請求項(抜粋):
RE1+pBa2+q(Cu1-bAgb)3O7-x(REは1種または2種以上の希土類金属元素、-0.2≦p≦0.2、-0.2≦q≦0.2、0≦b≦0.05、-0.2≦x≦0.6)相中に、RE2+rBa1+s(Cu1-dAgd)O5-y相およびRE4+rBa2+s( Cu1-dAgd )2O10-y相(-0.2≦r≦0.2、-0.2≦s≦0.2、0≦d≦0.05、-0.2≦y≦0.2)の少なくとも一方の相が微細に分散した筒状の酸化物超電導体と、この筒状の酸化物超電導体の前記REと同一の元素を含み且つ前記筒状の酸化物超電導体の開口部を塞ぐ板状の酸化物超電導体とが積層されて一体に結晶化していることを特徴とする中空の酸化物超電導体。
IPC (3件):
C01G 1/00 ZAA ,  C01G 3/00 ,  C01G 5/00
FI (3件):
C01G 1/00 ZAA S ,  C01G 3/00 ,  C01G 5/00 Z
Fターム (4件):
4G047JA10 ,  4G047JC02 ,  4G047JC03 ,  4G047KB20
引用特許:
審査官引用 (3件)

前のページに戻る