特許
J-GLOBAL ID：200903062009762605

酸化物超電導体並びにその製造方法及びその製造装置

発明者：
小早志 秀一

小早志 秀一 について

, 
長谷山 秀悦

長谷山 秀悦 について


出願人/特許権者：
同和鉱業株式会社

同和鉱業株式会社 について


代理人 (1件)： 阿仁屋 節雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-196308
公開番号（公開出願番号）：特開2000-026159
出願日： 1998年07月10日
公開日（公表日）： 2000年01月25日
要約：
【要約】【課題】 電気的および磁気的特性に優れた酸化物超電導体及びそのような酸化物超電導体を安定的に再現性良く製造する製造方法及び装置を提供する。【解決手段】 中間成形体200a又は200bに種結晶100a又は100bを接触させて結晶成長させる際に、種結晶を種結晶載置台5上に載置して熱処理領域内に配置しておき、熱処理条件が満たされたときに、種結晶移送装置3の吸着管33に種結晶を吸着保持して中間成形体の上部に移送して載置して結晶成長させる。これにより結晶間の方位のズレが±10°以下である15cm2 以上の配向面を有し、あるいは、カーボンの含有量が1wt%以下であり、あるいは、密度が理論密度の85〜95%であって、高い磁石との磁気反発力を有する酸化物超電導体を得る。
請求項（抜粋）：
隣接する超電導結晶間の方位のズレが±10°以下である15cm2 以上の配向面を有することを特徴とする酸化物超電導体。
IPC (5件)：
C04B 35/45 ZAA ,  C01G 1/00 ,  C01G 3/00 ZAA ,  C30B 29/22 501 ,  H01L 39/00
FI (5件)：
C04B 35/00 ZAA K ,  C01G 1/00 S ,  C01G 3/00 ZAA ,  C30B 29/22 501 B ,  H01L 39/00 G
Fターム (31件)：
4G030AA08 ,  4G030AA09 ,  4G030AA10 ,  4G030AA11 ,  4G030AA12 ,  4G030AA31 ,  4G030AA43 ,  4G030AA60 ,  4G030BA02 ,  4G030CA02 ,  4G047JA02 ,  4G047JB02 ,  4G047JC02 ,  4G047JC03 ,  4G077AA02 ,  4G077AB10 ,  4G077BC53 ,  4G077BC58 ,  4G077CD00 ,  4G077EB01 ,  4G077ED01 ,  4G077EG11 ,  4G077EG12 ,  4G077EG25 ,  4G077HA03 ,  4G077HA08 ,  4M113AD36 ,  4M113BA21 ,  4M113BA29 ,  4M113CA34 ,  4M113CA35
引用特許：
審査官引用 (7件)
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