特許
J-GLOBAL ID：200903096301550882
単分子膜累積法を用いた無機薄膜及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-341832
公開番号（公開出願番号）：特開平11-140656
出願日： 1997年11月05日
公開日（公表日）： 1999年05月25日
要約：
【要約】【課題】本発明は、基板上に単分子膜累積法を用いて、有機分子中に金属元素を含有する形で単分子膜を累積して有機薄膜になした後、これを物理的あるいは化学的手法により膜中の有機構造成分を分解することを特徴とする無機薄膜およびその製造方法に関するものであり、従来のゾル-ゲル法等の溶液化学的手法では困難であった構造制御された無機薄膜およびその製造方法を提供するものである。【解決手段】本発明は、基板上に金属元素を含有した単分子膜を累積し、分子レベルで構造制御された有機薄膜になした後、該有機薄膜中の有機構造成分を分解することにより無機薄膜を得る方法である。
請求項（抜粋）：
単分子膜累積法を用いて金属元素の組成、配列等を制御した単分子膜を累積して有機薄膜を形成した後、該有機薄膜中の有機構造成分を分解除去することにより製造される無機薄膜。
IPC (3件)：
C23C 18/08
, B01J 19/00
, B01J 19/00 301
C23C 18/08
, B01J 19/00 M
, B01J 19/00 301 D
