抵抗変化素子とそれを用いた抵抗変化型メモリならびにその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：鎌田耕一 , 黒田茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-110347
公開番号（公開出願番号）：特開2007-287761
出願日： 2006年04月13日
公開日（公表日）： 2007年11月01日
要約：

【課題】基板と基板上に配置された多層構造体とを含み、多層構造体が上部電極および下部電極と、当該電極間に配置された抵抗変化層とを含み、当該電極間の電気抵抗値が異なる2以上の状態が存在し、当該電極間に所定の電圧または電流を印加することにより、上記2以上の状態から選ばれる1つの状態から他の状態へと変化する抵抗変化素子であって、従来の素子とは異なる構成を有し、半導体製造プロセスとの親和性に優れるとともに抵抗変化特性に優れる素子を提供する。【解決手段】抵抗変化層がFe2O3と、含有率(重量%)にしてFe2O3の0〜20%のFe3O4とを含み、下部電極が、抵抗変化層とは組成が異なり、かつ、Fe3O4を含む鉄酸化物からなり、上記抵抗変化層と上記下部電極とが互いに接している素子とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板と、前記基板上に配置された多層構造体とを含み、前記多層構造体が、上部電極および下部電極と、前記上部電極と前記下部電極との間に配置された抵抗変化層と、を含み、前記上部電極と前記下部電極との間の電気抵抗値が異なる2以上の状態が存在し、前記上部電極と前記下部電極との間に所定の電圧または電流を印加することにより、前記2以上の状態から選ばれる1つの状態から他の状態へと変化する抵抗変化素子であって、前記抵抗変化層は、Fe2O3と、含有率(重量%)にしてFe2O3の0〜20%のFe3O4と、を含み、前記多層構造体は、前記抵抗変化層とは組成が異なり、かつ、Fe3O4を含む鉄酸化物膜をさらに含み、前記鉄酸化物膜は、前記抵抗変化層の前記下部電極側の主面に接するように配置されている抵抗変化素子。

IPC (3件)：

H01L 27/10 , H01L 45/00 , H01L 49/00

FI (3件)：

H01L27/10 451 , H01L45/00 Z , H01L49/00 Z

Fターム (17件)：

5F083FZ10 , 5F083JA36 , 5F083JA37 , 5F083JA38 , 5F083JA40 , 5F083JA43 , 5F083LA12 , 5F083LA16 , 5F083MA05 , 5F083MA06 , 5F083MA17 , 5F083MA18 , 5F083MA20 , 5F083PR12 , 5F083PR25 , 5F083PR40 , 5F083ZA21

引用特許：

出願人引用 (4件)

米国特許第6204139号公報
情報を保存するマイクロ電子デバイスとその方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2000-600308 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
一つのスイッチング素子と一つの抵抗体とを含む不揮発性メモリ装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-164659 出願人：三星電子株式会社

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