特許
J-GLOBAL ID：200903096310553460

セラミック配線基板

発明者：
福田 憲次郎

福田 憲次郎 について


出願人/特許権者：
京セラ株式会社

京セラ株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-363639
公開番号（公開出願番号）：特開2003-163427
出願日： 2001年11月29日
公開日（公表日）： 2003年06月06日
要約：
【要約】【課題】めっき性を低下させず、外観が良好で、接着強度を維持したまま、基板反りを低減することができるセラミック配線基板を提供する。【解決手段】少なくともSiO2を10質量%以上含有し、ガラスと、セラミックフィラーとからなるセラミック組成物を焼成して得られセラミックスからなる絶縁基板1の少なくとも表面に絶縁基板1と同時焼成して形成され、平均粒径が1.0〜5.0μmのCu粒子と、該Cu粒子の粒界に無機成分を含有するメタライズ配線層3を被着形成してなる半導体素子収納用パッケージなどのセラミック配線基板において、メタライズ配線層3中のCu粒子の表面に、Cu粒子に対して1質量%以上の割合でSiO2からなる被覆層を形成し、特にメタライズ配線層3中における無機成分の含有量をCu100質量部に対して、10質量部以下とする。
請求項（抜粋）：
少なくともSiO2を10質量%以上含有するセラミックスからなる絶縁基板の少なくとも表面に該絶縁基板と同時焼成して形成され、Cu粒子と、該Cu粒子の粒界に無機成分を含有するメタライズ配線層を被着形成してなるセラミック配線基板において、前記メタライズ配線層中の前記Cu粒子の表面に、該Cu粒子に対して1質量%以上の割合でSiO2からなる被覆層が形成されてなることを特徴とするセラミック配線基板。
IPC (5件)：
H05K 1/09 ,  C04B 41/88 ,  H01L 23/15 ,  H05K 3/38 ,  H05K 3/46
FI (6件)：
H05K 1/09 Z ,  C04B 41/88 C ,  H05K 3/38 B ,  H05K 3/46 H ,  H05K 3/46 S ,  H01L 23/14 C
Fターム (21件)：
4E351AA07 ,  4E351DD04 ,  4E351DD45 ,  4E351DD56 ,  4E351GG03 ,  4E351GG14 ,  5E343AA24 ,  5E343BB24 ,  5E343BB77 ,  5E343GG02 ,  5E343GG20 ,  5E346AA15 ,  5E346CC18 ,  5E346CC32 ,  5E346DD13 ,  5E346DD45 ,  5E346EE23 ,  5E346FF18 ,  5E346GG06 ,  5E346HH11 ,  5E346HH40
引用特許：
審査官引用 (4件)
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