特許
J-GLOBAL ID:200903096319173326

光学処理溶液、反射防止膜形成方法、パターンメッキ方法及び薄膜磁気ヘッドの製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 阿部 美次郎
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-123124
公開番号(公開出願番号):特開2000-314963
出願日: 1999年04月28日
公開日(公表日): 2000年11月14日
要約:
【要約】【課題】 フォトレジストとインターミキシングを生じることがなく、フォトレジスト現像液に溶解する反射防止膜を形成し得る光学処理溶液及びパターンメッキ方法を提供する。【解決手段】 シクロペンタノンを溶媒とし、ポリメチルグルタルイミド及び光吸収染料を含む光学処理溶液を、傾斜部200を含む被メッキ物100の表面に塗布し、熱処理して反射防止膜300を形成する。次に、反射防止膜300を覆うフォトレジスト400を塗布する。フォトレジスト400及び反射防止膜300に対し、被メッキ物100の表面にメッキパターンを形成するためのフォトリソグラフィ工程を実行する。
請求項(抜粋):
シクロペンタノンを溶媒とし、ポリメチルグルタルイミド及び光吸収染料を含む光学処理溶液。
IPC (6件):
G03F 7/11 503 ,  C08F 8/30 ,  C08J 5/22 ,  G03F 7/004 505 ,  G11B 5/31 ,  H01L 21/027
FI (6件):
G03F 7/11 503 ,  C08F 8/30 ,  C08J 5/22 ,  G03F 7/004 505 ,  G11B 5/31 C ,  H01L 21/30 574
Fターム (42件):
2H025AA00 ,  2H025AA06 ,  2H025AB14 ,  2H025AB20 ,  2H025CB25 ,  2H025CC03 ,  2H025CC13 ,  2H025DA34 ,  2H025EA10 ,  2H025FA28 ,  4F071AA36 ,  4F071AA36X ,  4F071AA76X ,  4F071AA81 ,  4F071AA81X ,  4F071AC07 ,  4F071AC12 ,  4F071AC19 ,  4F071AE09 ,  4F071AE22 ,  4F071AF29 ,  4F071AF30 ,  4F071AG28 ,  4F071AH03 ,  4F071AH19 ,  4F071BA03 ,  4F071BB02 ,  4F071BC01 ,  4F071BC02 ,  4J100AJ02P ,  4J100BA28H ,  4J100CA01 ,  4J100CA31 ,  4J100HA45 ,  4J100JA25 ,  4J100JA32 ,  5D033BA07 ,  5D033BA12 ,  5D033DA04 ,  5D033DA07 ,  5F046PA07 ,  5F046PA09
引用特許:
審査官引用 (3件)

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