特許
J-GLOBAL ID：200903096321061764

半導体装置

発明者：
石川 明

石川 明 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-349599
公開番号（公開出願番号）：特開2003-152086
出願日： 2001年11月15日
公開日（公表日）： 2003年05月23日
要約：
【要約】【課題】 開口率を下げることなく、必要な容量値を確保できる素子構造を提供する。【解決手段】 基板に溝またはトレンチ凹部を設け、溝の中に容量素子を作製する。基板に設けた溝が多ければ多いほど、容量値は増大する。また溝の深さによっても容量は増加する。すなわち溝の数を調整することによって容量値を調整でき、溝の深さを調整することによっても容量値を調整できる。またこの容量素子は、半導体膜の下部に設けられるため、当該半導体膜への下部からの光の入射を防止する遮光膜の役割も担う。
請求項（抜粋）：
薄膜トランジスタと当該薄膜トランジスタに接続された保持容量素子とを有する半導体装置であって、当該保持容量素子は、少なくともその一部が基板に設けられた溝内に形成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (10件)：
H01L 21/822 ,  G02F 1/1333 505 ,  G02F 1/1343 ,  G02F 1/1368 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/8234 ,  H01L 27/04 ,  H01L 27/06 ,  H01L 27/08 331 ,  H01L 29/786
FI (9件)：
G02F 1/1333 505 ,  G02F 1/1343 ,  G02F 1/1368 ,  H01L 27/08 331 E ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/06 102 A ,  H01L 29/78 612 Z ,  H01L 29/78 626 C ,  H01L 29/78 619 B
Fターム (128件)：
2H090HA04 ,  2H090HD05 ,  2H090JA06 ,  2H090LA01 ,  2H090LA04 ,  2H092GA17 ,  2H092GA21 ,  2H092JA24 ,  2H092JA28 ,  2H092JB04 ,  2H092JB62 ,  2H092NA25 ,  2H092PA01 ,  5F038AC04 ,  5F038AC05 ,  5F038AC10 ,  5F038AC15 ,  5F038AC16 ,  5F038AC17 ,  5F038AC18 ,  5F038AC19 ,  5F038EZ06 ,  5F038EZ20 ,  5F048AC10 ,  5F048BA16 ,  5F048BC06 ,  5F110AA21 ,  5F110AA30 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110BB05 ,  5F110BB10 ,  5F110CC02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110DD21 ,  5F110DD25 ,  5F110DD30 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE05 ,  5F110EE06 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE23 ,  5F110EE28 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF23 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110FF36 ,  5F110GG01 ,  5F110GG03 ,  5F110GG04 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110GG45 ,  5F110GG47 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL01 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL05 ,  5F110HL06 ,  5F110HL08 ,  5F110HL11 ,  5F110HL12 ,  5F110HM14 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN36 ,  5F110NN42 ,  5F110NN44 ,  5F110NN45 ,  5F110NN46 ,  5F110NN47 ,  5F110NN48 ,  5F110NN54 ,  5F110NN55 ,  5F110NN73 ,  5F110PP01 ,  5F110PP02 ,  5F110PP03 ,  5F110PP04 ,  5F110PP05 ,  5F110PP06 ,  5F110PP10 ,  5F110PP24 ,  5F110PP29 ,  5F110PP34 ,  5F110PP35 ,  5F110QQ04 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ19 ,  5F110QQ23 ,  5F110QQ24 ,  5F110QQ25 ,  5F110QQ28
引用特許：
審査官引用 (9件)
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