特許
J-GLOBAL ID：200903098275351666
半導体装置及び液晶表示装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡田 敬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-307642
公開番号（公開出願番号）：特開平9-146118
出願日： 1995年11月27日
公開日（公表日）： 1997年06月06日
要約：
【要約】【課題】 p-SiTFTを用いた駆動回路一体型液晶表示装置において、p-SiTFTのソース領域と液晶駆動用の表示電極とのコンタクト形成構造を改良し、開口率を向上する。【解決手段】 ソース領域11Sとソース電極16を接続するコンタクトホールCT2の径ct2を、ソース電極16と表示電極18を接続するコンタクトホールCT3の径ct3よりも小さくし、コンタクトホールCT3をコンタクトホールCT2の直上位置に形成する。コンタクトホールCT2の径を小さくしててもコンタクト抵抗はあまり上昇せず、かつ、表示電極18は、コンタクトホールCT3の比較的浅い段差部CTAにおいて、ソース電極16との良好なコンタクトが得られる。
請求項（抜粋）：
基板上に形成された第1導電膜と、前記第1導電膜上に形成された第1の層間絶縁膜と、前記第1の層間絶縁膜上に形成された第2の層間絶縁膜と、前記第2の層間絶縁膜上に形成された第2導電膜とを有し、前記第1の導電膜と前記第2導電膜が、前記第1の層間絶縁膜中に開口された第1のコンタクトホール及び前記第2の層間絶縁膜中に開口された第2のコンタクトホールを介して電気的に接続されてなる半導体装置において、前記第1のコンタクトホールは、前記第2のコンタクトホールよりも径が大きく、前記第2のコンタクトホールは前記第1のコンタクトホール内に埋め込まれた第2の層間絶縁膜中に開口され、前記第2導電膜は実質的に前記第2のコンタクトホールを介して前記第1導電膜に接続されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
G02F 1/136 500
, G02F 1/1343
, H01L 27/12
, H01L 29/786
G02F 1/136 500
, G02F 1/1343
, H01L 27/12 A
, H01L 29/78 612 B
