特許

J-GLOBAL ID：200903096340287293

電子線、X線またはEUV用ポジ型レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法

発明者： 山下 克宏
出願人/特許権者： 富士フイルム株式会社
代理人 (2件)： 高松 猛 ,  矢澤 清純
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-082235
公開番号（公開出願番号）：特開2009-237176
出願日： 2008年03月26日
公開日（公表日）： 2009年10月15日
要約：

【課題】活性光線又は放射線、特に、電子線、X線あるいはEUV光を使用する半導体素子の微細加工技術の課題を解決することにあり、高感度であるとともに、露光ラチチュード(EL)、経時安定性の高い有効なポジ型レジスト組成物およびそれを用いたパターン形成法を提供する。【解決手段】(A)酸の作用により分解してアルカリ水溶液に対する溶解速度が増大する樹脂、(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する、特定のアニオンを有するオニウム塩、(C)塩基性化合物、及び、(D)有機溶剤を含有する組成物であって、該組成物中の全固形分の濃度が1.0〜4.5質量%であり、一般式(ZI)または(ZII)で表される化合物の総量が、該組成物中の全固形分に対し、12質量%以上であることを特徴とする電子線、X線またはEUV用ポジ型レジスト組成物およびそれを用いたパターン形成法。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

(A)酸の作用により分解してアルカリ水溶液に対する溶解速度が増大する樹脂、 (B)下記一般式(ZI)または(ZII)で表される、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、

IPC (3件)：

G03F 7/039 ,  G03F 7/004 ,  H01L 21/027

FI (4件)：

G03F7/039 601 ,  G03F7/004 501 ,  G03F7/004 503A ,  H01L21/30 502R

Fターム (16件)：

2H025AA01 ,  2H025AA04 ,  2H025AA11 ,  2H025AC04 ,  2H025AC05 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE07 ,  2H025BF02 ,  2H025BF15 ,  2H025BG00 ,  2H025CC20 ,  2H025FA10 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 電子線またはEUV(極端紫外光)用レジスト組成物及びレジストパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-262488   出願人：東京応化工業株式会社, 木下博雄, 渡邊健夫
• ポジ型感放射線性樹脂組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-085513   出願人：JSR株式会社