特許
J-GLOBAL ID：200903025630950838

電子線またはEUV(極端紫外光)用レジスト組成物及びレジストパターン形成方法

発明者：
羽田 英夫

羽田 英夫 について

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塩野 大寿

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木下 博雄

木下 博雄 について

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渡邊 健夫

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出願人/特許権者：
東京応化工業株式会社

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木下 博雄

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渡邊 健夫

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代理人 (5件)： 棚井 澄雄 ,  志賀 正武 ,  青山 正和 ,  鈴木 三義 ,  柳井 則子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-262488
公開番号（公開出願番号）：特開2006-078760
出願日： 2004年09月09日
公開日（公表日）： 2006年03月23日
要約：
【課題】 EUVまたは電子線を用いたリソグラフィプロセス用のレジスト組成物及びレジストパターン形成方法において、良好な感度が得られる技術を提供する。【解決手段】 (A)酸の作用によりアルカリ可溶性が変化する樹脂成分、および(B)露光により酸を発生する酸発生剤成分を含有するレジスト組成物であって、 前記(B)成分が、下記一般式(b-0-1)、(b-0-2)【化1】[式中、Xは、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された炭素数2〜6のアルキレン基を表し;Y、Zは、それぞれ独立に、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された炭素数1〜10のアルキル基を表す]で表されるアニオンを有するオニウム塩を少なくとも1種以上含有することを特徴とする電子線またはEUV(極端紫外光)用レジスト組成物。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
(A)酸の作用によりアルカリ可溶性が変化する樹脂成分、および(B)露光により酸を発生する酸発生剤成分を含有するレジスト組成物であって、 前記(B)成分が、下記一般式(b-0-1)、(b-0-2)
IPC (3件)：
G03F 7/039 ,  G03F 7/004 ,  H01L 21/027
FI (4件)：
G03F7/039 601 ,  G03F7/004 501 ,  G03F7/004 503A ,  H01L21/30 502R
Fターム (10件)：
2H025AA01 ,  2H025AC04 ,  2H025AC06 ,  2H025AD03 ,  2H025BE07 ,  2H025BG00 ,  2H025CC20 ,  2H025FA03 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (11件)
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