特許
J-GLOBAL ID：200903096353165995

半導体装置

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について

, 
竹村 保彦

竹村 保彦 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-143550
公開番号（公開出願番号）：特開2002-050768
出願日： 1994年07月07日
公開日（公表日）： 2002年02月15日
要約：
【要約】【課題】 表示特性の良好な半導体装置を提供する。【解決手段】 複数の第1のゲート配線、該複数の第1のゲート配線と交差する複数のソース配線並びに該複数のソース配線及び前記複数のゲート配線に囲まれた複数の画素を有し、複数の画素のそれぞれに設けられた薄膜トランジスタは、第1のゲート電極、該第1のゲート電極上の第1の絶縁膜、該第1の絶縁膜上の半導体層、該半導体層上の第2の絶縁膜及び該第2の絶縁膜上の第2のゲート電極を含み、前記第1のゲート電極は、前記第1のゲート配線から延長された電極であり、前記第2のゲート電極は、前記複数の画素ごとに前記第1のゲート配線に電気的に接続され、前記複数のソース配線は、前記第2のゲート電極上の層間絶縁物の上に設けられ、且つ、前記第1の絶縁膜及び前記層間絶縁物のみを介して前記複数の第1のゲート配線と交差することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
複数の第1のゲート配線、該複数の第1のゲート配線と交差する複数のソース配線並びに該複数のソース配線及び前記複数のゲート配線に囲まれた複数の画素を有し、且つ、該複数の画素のそれぞれに薄膜トランジスタ及び該薄膜トランジスタに接続された画素電極を含む半導体装置であって、前記薄膜トランジスタは、第1のゲート電極、該第1のゲート電極上の第1の絶縁膜、該第1の絶縁膜上の半導体層、該半導体層上の第2の絶縁膜及び該第2の絶縁膜上の第2のゲート電極を含み、前記第1のゲート電極は、前記第1のゲート配線から延長された電極であり、前記第2のゲート電極は、前記複数の画素ごとに前記第1のゲート配線に電気的に接続され、前記複数のソース配線は、前記第2のゲート電極上の層間絶縁物の上に設けられ、且つ、前記第1の絶縁膜及び前記層間絶縁物のみを介して前記複数の第1のゲート配線と交差することを特徴とする半導体装置。
IPC (8件)：
H01L 29/786 ,  G02F 1/1368 ,  G09F 9/30 338 ,  G09F 9/30 348 ,  G09F 9/35 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/41 ,  H01L 29/43
FI (10件)：
G02F 1/1368 ,  G09F 9/30 338 ,  G09F 9/30 348 A ,  G09F 9/35 ,  H01L 29/78 617 N ,  H01L 29/78 617 S ,  H01L 29/78 616 S ,  H01L 29/44 Z ,  H01L 29/46 L ,  H01L 29/78 616 A
Fターム (109件)：
2H092GA59 ,  2H092JA01 ,  2H092JA25 ,  2H092JA26 ,  2H092JA29 ,  2H092JA33 ,  2H092JA38 ,  2H092JA39 ,  2H092JA42 ,  2H092JA43 ,  2H092JA47 ,  2H092KA04 ,  2H092KA05 ,  2H092KA07 ,  2H092MA05 ,  2H092MA08 ,  2H092MA12 ,  2H092MA24 ,  2H092MA28 ,  2H092MA35 ,  2H092MA37 ,  2H092NA01 ,  4M104AA09 ,  4M104BB02 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB25 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD37 ,  4M104DD84 ,  4M104EE16 ,  4M104FF01 ,  4M104GG20 ,  4M104HH16 ,  5C094BA03 ,  5C094BA43 ,  5C094CA19 ,  5C094DA15 ,  5C094EA04 ,  5C094EA07 ,  5C094EB05 ,  5F110AA03 ,  5F110AA26 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110CC08 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD07 ,  5F110DD14 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE05 ,  5F110EE06 ,  5F110EE08 ,  5F110EE09 ,  5F110EE30 ,  5F110EE34 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF24 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG15 ,  5F110GG25 ,  5F110GG45 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ11 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ23 ,  5F110HK04 ,  5F110HK05 ,  5F110HK40 ,  5F110HK42 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110HL11 ,  5F110NN02 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN35 ,  5F110NN40 ,  5F110NN44 ,  5F110NN46 ,  5F110NN47 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110NN78 ,  5F110PP01 ,  5F110PP03 ,  5F110PP04 ,  5F110PP10 ,  5F110PP29 ,  5F110PP34 ,  5F110QQ11
引用特許：
出願人引用 (6件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM