特許

J-GLOBAL ID：200903096384498151

半導体ウェーハを処理するための方法及び装置

発明者： クリストファー デビッド ドブソン
出願人/特許権者： トリコン イクイップメンツ リミテッド
代理人 (1件)： 新部 興治 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-321637
公開番号（公開出願番号）：特開平10-189494
出願日： 1997年11月21日
公開日（公表日）： 1998年07月21日
要約：

【要約】【課題】 スループットを改良し、ウェーハが高温に露出される時間を短縮する。【解決手段】 導電性材料で製品の表面層における凹部を充填する方法であって、表面に障壁層を形成し、障壁層に導電性材料の層を被着し、導電性材料を凹部に押し入れ、流し込み、またはドリフトさせる段階を具備し、障壁層は、酸素を含むかまたは酸化され、かつ層の表面における酸化材料は、導電性材料の被着の前に窒化されることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

導電性材料で製品の表面層における凹部を充填する方法であって、前記表面に障壁層を形成し、前記障壁層に導電性材料の層を被着し、前記導電性材料を前記凹部に押し入れ、流し込み、またはドリフトさせる段階を具備し、前記障壁層は、酸素を含むかまたは酸化され、かつ層の表面における酸化材料は、前記導電性材料の被着の前に窒化されることを特徴とする方法。

IPC (5件)：

H01L 21/285 301 ,  C23C 8/24 ,  C23C 14/00 ,  C23C 14/02 ,  C23C 16/30

FI (5件)：

H01L 21/285 301 R ,  C23C 8/24 ,  C23C 14/00 Z ,  C23C 14/02 B ,  C23C 16/30

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-154054   出願人：日本電気株式会社
• 配線形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-078346   出願人：ソニー株式会社