特許
J-GLOBAL ID：200903096431596906
半導体記憶装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-336529
公開番号（公開出願番号）：特開平10-177797
出願日： 1996年12月17日
公開日（公表日）： 1998年06月30日
要約：
【要約】【課題】半導体記憶装置の書き込み、読み出し、及び消去を同時に行うページサイズ、ブロックサイズを、用途に応じて容易に最適化可能とする。【解決手段】複数の標準的なサブセルアレイを有する素子を用いて、ユーザが外部からコマンドを入力することにより、又は出荷の段階で僅かな工程を加えることにより、書き込み、読み出しのページサイズを自由に選択することができるようにし、システム設計において、書き込み、読み出し、消去の単位を用途に応じて最適化することにより、最高のシステム性能を達成することができる。このようにすれば、世代間の素子の互換性の点でも有利な結果が得られる。
請求項（抜粋）：
電気的書き替え可能なメモリセルがマトリックス状に配置されたメモリセルアレイと、メモリセルのゲート電極でありメモリセルの選択信号線となるワード線と、を有する半導体記憶装置において、読み出しあるいは書き込みに際して同時に選択されるメモリセルページの数が可変であり、かつ各メモリセルページはそれぞれ異なるワード線を共有するメモリセルを含むことを特徴とする半導体記憶装置。
IPC (5件)：
G11C 16/02
, H01L 27/115
, H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
G11C 17/00 611 G
, H01L 27/10 434
, H01L 29/78 371
