イメージセンサ及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：三枝英二 (外8名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-194703
公開番号（公開出願番号）：特開2001-044405
出願日： 2000年06月28日
公開日（公表日）： 2001年02月16日
要約：

【要約】【課題】本発明は、フォトダイオードの静電容量を増大させ、短波長に対して光感度を向上させることのできるイメージセンサ及びその製造方法を提供する【解決手段】本発明は、各々が光感知領域と周辺回路領域とを有する多数の単位画素を含むCMOSイメージセンサにおいて、第1導電形の半導体基板と、ゲート酸化膜及び上記ゲート酸化膜上に形成されたゲート電極を有し、上記半導体基板の上記周辺回路領域上に形成されたトランジスタと、上記ゲート酸化膜及び上記ゲート電極の側壁に形成され、一部が光感知領域に形成されたスペーサと、上記光感知領域に形成され、領域がゲート電極の片側のエッジまで達する第2導電形の第1ドーピング領域と、上記第1ドーピング領域上に形成され、領域が上記光感知領域に形成されたスペーサのエッジまで達する第1導電形の第2ドーピング領域とを含む。

請求項（抜粋）：

各々が光感知領域と周辺回路領域とを有する多数の単位画素を含むCMOSイメージセンサにおいて、第1導電形の半導体基板と、ゲート酸化膜及び上記ゲート酸化膜上に形成されたゲート電極を有し、上記半導体基板の上記周辺回路領域上に形成されたトランジスタと、上記ゲート酸化膜及び上記ゲート電極の側壁に形成され、一部が光感知領域に形成されたスペーサと、上記光感知領域に形成され、領域がゲート電極の片側のエッジまで達する第2導電形の第1ドーピング領域と、上記第1ドーピング領域上に形成され、領域が上記光感知領域に形成されたスペーサのエッジまで達する第1導電形の第2ドーピング領域とを含んでなるCMOSイメージセンサ。

IPC (2件)：

H01L 27/146 , H04N 5/335

FI (3件)：

H01L 27/14 A , H04N 5/335 E , H04N 5/335 U

引用特許：

審査官引用 (9件)

特開昭59-198756
特開昭53-086516
特開平1-243462

全件表示

前のページに戻る