特許

J-GLOBAL ID：200903096453787012

ガス分離体の製造方法

発明者： 菱木 達也
出願人/特許権者： 日本碍子株式会社
代理人 (1件)： 渡邉 一平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-393850
公開番号（公開出願番号）：特開2003-190748
出願日： 2001年12月26日
公開日（公表日）： 2003年07月08日
要約：

【要約】【課題】 より高いガス分離効率を発揮して、所定の純度を有する精製ガスを得ることが出来るガス分離体を作製し得る、より簡素なガス分離体の製造方法を提供すること。【解決手段】 多孔質基体にガス分離能を有する金属が成膜されてなるガス分離体の製造方法であって、少なくとも、多孔質基体の一片面を、他片面との圧力差を伴わずに、活性化金属を含有する溶液に浸漬させる活性化工程と、多孔質基体の一片面を、他片面との圧力差を伴って、ガス分離能を有する金属を含有する溶液に浸漬させる化学メッキ工程と、を有し、多孔質基体の一片面において、ガス分離能を有する金属が、多孔質基体の表面の微小欠陥を閉塞させつつ成膜されることを特徴とするガス分離体の製造方法の提供による。

請求項（抜粋）：

多孔質基体にガス分離能を有する金属が成膜されてなるガス分離体の製造方法であって、少なくとも、前記多孔質基体の一片面を、他片面との圧力差を伴わずに、活性化金属を含有する溶液に浸漬させる活性化工程と、前記多孔質基体の一片面を、他片面との圧力差を伴って、前記ガス分離能を有する金属を含有する溶液に浸漬させる化学メッキ工程と、を有し、前記多孔質基体の一片面において、前記ガス分離能を有する金属が、前記多孔質基体の微小欠陥を閉塞させつつ成膜されることを特徴とするガス分離体の製造方法。

IPC (7件)：

B01D 71/02 500 ,  B01D 53/22 ,  B01D 69/10 ,  C01B 3/56 ,  C23C 18/18 ,  C23C 18/31 ,  C23C 18/42

FI (7件)：

B01D 71/02 500 ,  B01D 53/22 ,  B01D 69/10 ,  C01B 3/56 Z ,  C23C 18/18 ,  C23C 18/31 A ,  C23C 18/42

Fターム (24件)：

4D006GA41 ,  4D006HA21 ,  4D006MA02 ,  4D006MA06 ,  4D006MB04 ,  4D006MC02X ,  4D006MC03X ,  4D006NA05 ,  4D006NA45 ,  4D006NA49 ,  4D006PA01 ,  4D006PB18 ,  4D006PB66 ,  4G040FA06 ,  4G040FB09 ,  4G040FC01 ,  4G040FE01 ,  4K022AA37 ,  4K022AA41 ,  4K022CA04 ,  4K022CA13 ,  4K022CA16 ,  4K022DA01 ,  4K022DB30

引用特許：

審査官引用 (4件)

• ガス分離体及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-073449   出願人：日本碍子株式会社
• 水素分離体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-132988   出願人：日本碍子株式会社
• 特開平2-271901
  
• 特開平3-288534