特許

J-GLOBAL ID：200903096470851778

半導体装置の製造方法

発明者： 松浦 克好 ,  佐次田 直也
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 服部 毅巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-092810
公開番号（公開出願番号）：特開2007-266526
出願日： 2006年03月30日
公開日（公表日）： 2007年10月11日
要約：

【課題】強誘電体キャパシタを有する半導体装置の製造方法に関し、強誘電体キャパシタ下部電極の膜質を改善して、強誘電体キャパシタ下部電極の上に形成する強誘電体膜の特性を良好にする。【解決手段】強誘電体キャパシタ102を有する半導体装置において、MOSトランジスタ20に接続されたタングステン層30を選択的成長法により形成する。その上にチタンナイトライド膜50、チタンアルミナイトライド膜60、イリジウム膜70、強誘電体膜80、上部電極101を形成する。これにより、チタンナイトライド膜50、チタンアルミナイトライド膜60、イリジウム膜70及び強誘電体膜80を結晶性良く形成することができる。【選択図】図6

請求項（抜粋）：

半導体基板上の絶縁膜に、半導体基板に形成された素子に接続する、上層の結晶性を向上させるプラグ電極を形成する工程と、 形成された前記プラグ電極上に、配向性向上層を形成する工程と、 形成された前記配向性向上層上に、酸素バリア層を形成する工程と、 形成された前記酸素バリア層上に、強誘電体キャパシタの下部電極を形成する工程と、 を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/824 ,  H01L 27/105

FI (1件)：

H01L27/10 444B

Fターム (20件)：

5F083FR02 ,  5F083FR03 ,  5F083GA27 ,  5F083JA15 ,  5F083JA17 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA43 ,  5F083JA45 ,  5F083MA05 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083MA18 ,  5F083MA20 ,  5F083NA01 ,  5F083PR15 ,  5F083PR40

引用特許：

出願人引用 (2件)

• マイクロ電子構造体とその製造法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-196767   出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-316894   出願人：富士通株式会社