特許
J-GLOBAL ID:200903096477564057
高熱伝導窒化ケイ素セラミックス並びにその製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-318912
公開番号(公開出願番号):特開2002-128569
出願日: 2000年10月19日
公開日(公表日): 2002年05月09日
要約:
【要約】【課題】 高熱伝導窒化ケイ素セラミックス並びにその製造方法【解決手段】 1900°C以下の低温焼結により、焼結体の緻密化と粒成長を可能として高熱伝導窒化ケイ素焼結体を製造する方法であって、窒化ケイ素粉末に少なくとも窒化ケイ素マグネシウム(MgSiN2 )を含む焼結助剤を添加し、成形し、次いで、これを1900°C以下の温度で焼結し、かつ100W/mK以上の高い熱伝導率を有する緻密な焼結体を得ることを特徴とする高熱伝導窒化ケイ素焼結体の製造方法、及び当該製造方法により得られる、100W/mK以上の高い熱伝導率を有する窒化ケイ素焼結体。
請求項(抜粋):
1900°C以下の低温焼結により、焼結体の緻密化と粒成長を可能として高熱伝導窒化ケイ素焼結体を製造する方法であって、窒化ケイ素粉末に少なくとも窒化ケイ素マグネシウム(MgSiN2 )を含む焼結助剤を添加し、成形し、次いで、これを1900°C以下の温度で焼結し、かつ100W/mK以上の高い熱伝導率を有する緻密な焼結体を得ることを特徴とする高熱伝導窒化ケイ素焼結体の製造方法。
IPC (3件):
C04B 35/584
, H01L 23/13
, H05K 1/03 610
FI (3件):
H05K 1/03 610 D
, C04B 35/58 102 C
, H01L 23/12 C
Fターム (9件):
4G001BA08
, 4G001BA22
, 4G001BA31
, 4G001BB09
, 4G001BB22
, 4G001BB31
, 4G001BC53
, 4G001BC57
, 4G001BD03
引用特許: