プラズマ処理装置および方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者： , ,
代理人 (2件)：亀谷美明 (外1名) , 亀谷美明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-087614
公開番号（公開出願番号）：特開平9-192479
出願日： 1996年03月15日
公開日（公表日）： 1997年07月29日
要約：

【要約】【課題】複数の処理ガスを用いた場合であっても、同一圧力条件下で各処理ガスの電子温度を高精度に制御する。【解決手段】本発明によれば、個別独立にパルス変調制御可能な複数の高周波電界、例えばマイクロ波プラズマ(3、4)と誘導結合プラズマ(10、12)を用いて、同一圧力下において、処理ガスの種類に応じて異なる高周波電界をパルス変調することにより、各処理ガスの電子温度、電子密度の高精度の制御が可能となり、各ガスに対して最適な電子温度、電子密度を選択することにより、重要なラジカルを効率的に基板上に導入できる。

請求項（抜粋）：

高周波電界により複数種類の処理ガスをプラズマ化して被処理体を処理するにあたり、個別独立にパルス変調制御可能な複数の高周波電界を用いて、同一圧力下において、処理ガスの種類に応じて異なる高周波電界をパルス変調することを特徴とするプラズマ処理方法。

IPC (7件)：

B01J 19/08 , C23C 16/50 , C23F 4/00 , H01L 21/203 , H01L 21/205 , H01L 21/3065 , H05H 1/46

FI (10件)：

B01J 19/08 E , C23C 16/50 , C23F 4/00 A , C23F 4/00 D , H01L 21/203 S , H01L 21/205 , H05H 1/46 B , H05H 1/46 L , H05H 1/46 C , H01L 21/302 B

引用特許：

審査官引用 (6件)

ラジカルの制御方法および装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-241487 出願人：名古屋大学長
特開昭62-285424
特開昭57-167631

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