特許
J-GLOBAL ID：200903096517355367

不揮発性多値メモリ装置

発明者：
萩原 治夫

萩原 治夫 について

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内野 高志

内野 高志 について

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南部 想

南部 想 について


出願人/特許権者：
三洋電機株式会社

三洋電機株式会社 について


代理人 (1件)： 岡田 敬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-224383
公開番号（公開出願番号）：特開平9-069295
出願日： 1995年08月31日
公開日（公表日）： 1997年03月11日
要約：
【要約】【課題】 無駄な書き込み期間をなくして書き込みに要する時間を短くすると共に、書き込み回路の構成を簡略化する。【解決手段】 入力デジタルデータをデータレジスタ20に保持し、これを抵抗分割回路21及びデコーダ22により多値のアナログ量に変換し、不揮発性メモリセル60から読み出したアナログ量と変換されたアナログ量とを比較器23により比較し、比較結果に応答してメモリセル60に書き込み電圧を供給すると共に、この書き込み電圧として2種類の異なるバイアス電圧VBLH,VBLLを発生する第1バイアス発生回路500を設け、バイアス電圧の供給ラインに各々スイッチとしてのMOSトランジスタ27,28を挿入し、入力デジタルデータの上位ビットD1に応じていずれかのMOSトランジスタ27,28を選択的にオンオフ制御して、書き込み電圧の切換を行う。
請求項（抜粋）：
多値情報を記憶可能な不揮発性メモリセルと、入力デジタルデータに対応する多値情報を書き込むために前記メモリセルに書き込み電圧を供給する書き込み回路と、前記入力デジタルデータに応じて前記メモリセルへ供給する書き込み電圧を切り換える切換回路とを備えたことを特徴とする不揮発性多値メモリ装置。
IPC (2件)：
G11C 16/04 ,  G11C 11/56
FI (2件)：
G11C 17/00 308 ,  G11C 11/56
引用特許：
審査官引用 (4件)
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